供應(yīng)商：蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司 咨詢電話：13073303083 聯(lián)系人：夏經(jīng)理 聯(lián)系QQ：979282004

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效果圖描述：pMOSFET的核心：金屬—氧化層—半導(dǎo)體電容/ppnbsp;nbsp;nbsp;金屬—氧化層—半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)MOSFET在結(jié)構(gòu)上以一個(gè)金屬—氧化層—半導(dǎo)體的電容為核心，場(chǎng)效應(yīng)管代換，氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶硅。這樣子的結(jié)構(gòu)正好等于一個(gè)電容器（capacitor）， [詳情] 更多關(guān)于場(chǎng)效應(yīng)管圖片相關(guān)信息 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管圖片   場(chǎng)效應(yīng)管樣板圖  

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