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效果圖描述：p生長(zhǎng)在石墨坩堝內(nèi)部的空心圓柱體中的碳化硅晶片是在碳管爐內(nèi)加熱到2500℃以上制成的，溫度的安排是要使得碳化硅圓柱體的中心溫度較外部為低。向里面擴(kuò)散的碳化硅蒸汽因而變得過(guò)飽和，安徽黑碳化硅，并且在圓柱體的中心冷凝下來(lái)形成單晶體?？梢栽诠ぷ鳉?..... [詳情] 更多關(guān)于黑碳化硅圖片相關(guān)信息 標(biāo)簽：黑碳化硅圖片   黑碳化硅樣板圖  

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