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大功率開關(guān)電源中EMI干擾的抑制
1 引言 隨著開關(guān)電源應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大,其電磁干擾已成為一個(gè)很嚴(yán)重的問題 開關(guān)電源維修,為了使電源產(chǎn)品滿足EMC的要求,設(shè)計(jì)人員就應(yīng)在設(shè)計(jì)階段考慮這一問題,同時(shí)也要做好在現(xiàn)場(chǎng)處理這一問題的準(zhǔn)備。
2 開關(guān)電源EMI的特點(diǎn)與危害 開關(guān)電源的功率管工作在非線性條件下,采用脈寬調(diào)制(PWM)開關(guān)控制方式 ,加之開關(guān)頻率的不斷提高 開關(guān)電源,使得電磁干擾越來越突出,對(duì)電網(wǎng)造成污染?!∫蚋蓴_的存在,輸入電源的電網(wǎng)受到了干擾,影響到其它設(shè)備,使其不能正常的工作,也影響到電網(wǎng)的供電質(zhì)量。所以尋找干擾抑制的方法是很必要的。 3 大功率開關(guān)電源中EMI抑制實(shí)驗(yàn) 在中科院近代物理研究所新建的大型物理實(shí)驗(yàn)裝置CSR冷卻存儲(chǔ)環(huán)中 開關(guān)電源變壓器,有大量開關(guān)電源為磁鐵提供電能,以滿足試驗(yàn)所需的磁場(chǎng)能量。其中195A/370V開關(guān)電源就是運(yùn)用在其冷卻段。 由于在設(shè)計(jì)和生產(chǎn)階段,廠家未考慮電磁兼容問題,以至于在安裝調(diào)試階段,造成對(duì)其他設(shè)備的影響,也是輸入電網(wǎng)受到污染

主動(dòng)式PFC電路通常使用兩個(gè)功率MOSFET開光管。這些開光管一般都會(huì)安置在一次側(cè)的散熱片上。為了易于理解,我們用在字母標(biāo)記了每一顆MOSFET開光管:S表示源極(Source)、D表示漏極(Drain)、G表示柵極(Gate)。
PFC二極管是一顆功率二極管 開關(guān)電源工作原理,通常采用的是和功率晶體管類似的封裝技術(shù),兩者長(zhǎng)的很像,同樣被安置在一次側(cè)的散熱片上,不過PFC二極管只有兩根針腳。
PFC電路中的電感是電源中的電感;一次側(cè)的濾波電容是主動(dòng)式PFC電源一次側(cè)部分的電解電容。電阻器是一顆NTC熱敏電阻,可以更加溫度的變化而改變電阻值,和二級(jí)EMI的NTC熱敏電阻起相同的作用。

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