氣相化學(xué)沉積設(shè)備-氣相化學(xué)沉積設(shè)備報(bào)價(jià)-沈陽鵬程(推薦商家)

ICP刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)

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ICP設(shè)備主要包括預(yù)真空室、刻蝕腔、供氣系統(tǒng)和真空系統(tǒng)四部分。

（1）預(yù)真空室預(yù)真空室的作用是確?？涛g腔內(nèi)維持在設(shè)定的真空度，不受外界環(huán)境（如：粉塵、水汽）的影響，將危險(xiǎn)性氣體與潔凈廠房隔離開來。它由蓋板、機(jī)械手、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、隔離門等組成。

（2）刻蝕腔體刻蝕腔體是ICP 刻蝕設(shè)備的核心結(jié)構(gòu)，它對刻蝕速率、刻蝕的垂直度以及粗糙度都有直接的影響?？涛g腔的主要組成有：上電極、ICP 射頻單元、RF 射頻單元、下電極系統(tǒng)、控溫系統(tǒng)等組成。

（3）供氣系統(tǒng)供氣系統(tǒng)是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器（PC）和質(zhì)量流量控制器（MFC）準(zhǔn)確的控制氣體的流速和流量。氣體供應(yīng)系統(tǒng)由氣源瓶、氣體輸送管道、控制系統(tǒng)、混合單元等組成。

（4）真空系統(tǒng)真空系統(tǒng)有兩套，氣相化學(xué)沉積設(shè)備價(jià)格，分別用于預(yù)真空室和刻蝕腔體。預(yù)真空室由機(jī)械泵單獨(dú)抽真空，只有在預(yù)真空室真空度達(dá)到設(shè)定值時(shí)，才能打開隔離門，進(jìn)行傳送片?？涛g腔體的真空由機(jī)械泵和分子泵共同提供，刻蝕腔體反應(yīng)生成的氣體也由真空系統(tǒng)排空。

化學(xué)氣相沉積產(chǎn)品概述

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——生產(chǎn)、銷售化學(xué)氣相沉積，我們公司堅(jiān)持用戶為上帝，氣相化學(xué)沉積設(shè)備，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠為本，講求信譽(yù)，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質(zhì)量求生存，我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)。

1、適用范圍：適合于各單位實(shí)驗(yàn)室、高等院校實(shí)驗(yàn)室、教學(xué)等的項(xiàng)目科研、產(chǎn)品中試之用。

2、產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)及特點(diǎn)：應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。

方箱PECVD簡介

該系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設(shè)備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

設(shè)備概述：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)前開門；

2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；

3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達(dá)到

（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)； 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；

5.樣品加熱加熱溫度：300℃，氣相化學(xué)沉積設(shè)備報(bào)價(jià)，溫控精度：±1°C，采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫；

6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)；

7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

8.氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，全自動(dòng)匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計(jì)使用7個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。

11. 系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

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