離子鍍膜機設(shè)備|浙江省離子鍍膜機|佛欣真空
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磁控靶邊緣濺射率的可控性是磁控靶設(shè)計的重要因素。從靶的利用
率的角度來看，理想情況是在整個靶的范圍有相同的刻蝕率。在通常情
況下，需要通過改進(jìn)靶的磁場設(shè)計，如采用多磁極磁場系統(tǒng)或非平衡磁
場系統(tǒng)或其他方式，擴(kuò)展靶的均勻濺射刻蝕區(qū)域（見圖 員猿鄄員圓），加強靶
邊緣的刻蝕率來減少所對應(yīng)基片區(qū)域膜層沉積通量的下降率。有時為了
抵消強化靶邊緣刻蝕所造成的整體靶材利用率的降低。
靶的刻蝕速率及其深度正比于等離子體的濃度，離子鍍膜機報價，也即正比于從靶面
發(fā)射的二次電子與中性原子的離化碰撞頻率 灶藻σ（增藻）增藻，其中 灶藻 是電子
濃度，它正比于電子的耘 伊 月漂移速度，σ（增藻）是工作氣體原子的電離截
面，增藻 為電子速度。研究發(fā)現(xiàn)，電子的平均動能基本保持恒定（即 增藻 基
本不變）。因此當(dāng)靶面各處電子產(chǎn)生和消亡的速率平衡時，浙江省離子鍍膜機，根據(jù)電子沿
跑道流動的連續(xù)性，灶藻 與電子的 耘 伊 月 漂移速度成反比。電子的 耘 伊 月
漂移速度越小，靶面的刻蝕速率越大。
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