不銹鋼表面鍍膜機(jī)設(shè)備_不銹鋼表面鍍膜機(jī)_佛欣真空
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靶的刻蝕速率及其深度正比于等離子體的濃度，也即正比于從靶面
發(fā)射的二次電子與中性原子的離化碰撞頻率 灶藻σ（增藻）增藻，其中 灶藻 是電子
濃度，它正比于電子的耘 伊 月漂移速度，σ（增藻）是工作氣體原子的電離截
面，不銹鋼表面鍍膜機(jī)廠，增藻 為電子速度。研究發(fā)現(xiàn)，電子的平均動(dòng)能基本保持恒定（即 增藻 基
本不變）。因此當(dāng)靶面各處電子產(chǎn)生和消亡的速率平衡時(shí)，根據(jù)電子沿
跑道流動(dòng)的連續(xù)性，灶藻 與電子的 耘 伊 月 漂移速度成反比。電子的 耘 伊 月
漂移速度越小，靶面的刻蝕速率越大。
靶基距對(duì)基片上在靶寬度方向（載 方向）上的膜厚均勻性有很大影
響。圖員猿鄄緣 給出了圖員猿鄄源 所示的矩形靶結(jié)構(gòu)在不同靶基距情況下，不銹鋼表面鍍膜機(jī)設(shè)備，沿
載方向（即靶的寬度方向）膜厚的相對(duì)分布。從圖中可以看出，當(dāng)靶基距
較小，如 澡 越圓緣 皂皂 時(shí)，不銹鋼表面鍍膜機(jī)，薄膜厚的位置大約在跑道上方，均勻性很差。
隨著靶基距的增加，由于積分的效應(yīng)，基片上不同點(diǎn)的膜厚差值變小，
均勻性逐漸變好。
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