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與真空蒸鍍法相比,陰極濺射具有如下特點(diǎn):
(1)結(jié)合力高:由于沉積到基片上的原子能量比真空蒸發(fā)鍍
1~2個(gè)數(shù)量級(jí),而且在成膜過(guò)程中基片暴露在等離子區(qū)中,
經(jīng)常被清洗和,因此薄膜與基片的附著力強(qiáng)。
(2)膜厚可控性和重復(fù)性好:由于放電電流及弧電流可以分
制,因此膜厚的可控性和重復(fù)性較好,固原市多弧磁控離子鍍膜,并且可以在較大的表面
得厚度均勻的膜層。
(3)可以制造特殊材料的薄膜:幾乎所有的固體都能用濺射
制成薄膜,靶可以是金屬、半導(dǎo)體、電介質(zhì)、多元素的化合物或混
物,多弧磁控離子鍍膜廠家,而且不受熔點(diǎn)的限制,可以濺射高熔點(diǎn)金屬成膜,其次,濺射
膜還可以使不同的材質(zhì)同時(shí)濺射制造混合體膜。
注冊(cè)資金:50萬(wàn)
聯(lián)系人:武經(jīng)理
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