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mos管場效應管|蘇州硅能半導體科技1|寧德mos管

mos管廠家

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主要參數(shù)：

直流參數(shù)

飽和漏極電流IDSS它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流。

夾斷電壓UP它可定義為：當UDS一定時，寧德mos管，使ID減小到一個微小的電流時所需的UGS。

開啟電壓UT它可定義為：當UDS一定時，使ID到達某一個數(shù)值時所需的UGS。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

場效應管與雙極性晶體管的比較

場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，mos管開關作用，應選用場效應管。

場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，mos管場效應管，因此，mos管工作原理，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。

場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。

場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。

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