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主要參數(shù):
直流參數(shù)
飽和漏極電流IDSS它可定義為:當柵、源極之間的電壓等于零,而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時,對應的漏極電流。
夾斷電壓UP它可定義為:當UDS一定時,寧德mos管,使ID減小到一個微小的電流時所需的UGS。
開啟電壓UT它可定義為:當UDS一定時,使ID到達某一個數(shù)值時所需的UGS。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

場效應管與雙極性晶體管的比較
場效應管是電壓控制器件,柵極基本不取電流,而晶體管是電流控制器件,基極必須取一定的電流。因此,在信號源額定電流極小的情況,mos管 開關作用,應選用場效應管。
場效應管是多子導電,而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感,mos管 場效應管,因此,mos管工作原理,對于環(huán)境變化較大的場合,采用場效應管比較合適。
場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外,還可作壓控可變線性電阻使用。
場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的,可以互換使用,耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此,使用場效應管比晶體管靈活。

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