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EDI超純水設(shè)備概述:
EDI超純水設(shè)備作為制取超純水的設(shè)備,作為RO反滲透設(shè)備后的二次除鹽設(shè)備,可以制取出高達(dá)10-18.2MΩ.CM的超純水。因此廣泛用于微電子工業(yè),半導(dǎo)體工業(yè),發(fā)電工業(yè),制藥行業(yè)和實(shí)驗(yàn)室。也可以作為制藥蒸餾水、食物和飲料生產(chǎn)用水、發(fā)電廠(chǎng)的鍋爐的補(bǔ)給水,以及其它應(yīng)用高純水使用。
EDI高純水設(shè)備性能優(yōu)勢(shì):
1、EDI高純水設(shè)備可連續(xù),穩(wěn)定地生產(chǎn)純水,無(wú)需因樹(shù)脂再生而停機(jī); 2、EDI高純水設(shè)備無(wú)污染物排放,既環(huán)保又省去了廢液處理的投資;
3、EDI高純水設(shè)備設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,EDI超純水設(shè)備,占地面積小,節(jié)省空間,同時(shí)還具有節(jié)能優(yōu)點(diǎn); 4、EDI高純水設(shè)備出廠(chǎng)完成裝置調(diào)試,現(xiàn)場(chǎng)工作量小,上崗培訓(xùn)容易; 5、EDI高純水設(shè)備日常保養(yǎng),EDI超純水設(shè)備廠(chǎng),操作簡(jiǎn)單,勞動(dòng)強(qiáng)度低。
6、EDI高純水設(shè)備脫鹽率大于99.9%,效率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于兩級(jí)RO反滲透設(shè)備和單純的離子交換設(shè)備。


純水設(shè)備懸浮物和膠體顆粒污染概要
(1)純水設(shè)備懸浮物和膠體顆粒的危害直接影響反滲透膜元件的運(yùn)行性能,EDI超純水設(shè)備生產(chǎn)廠(chǎng)家,表現(xiàn)在產(chǎn)品水流量降低,EDI超純水設(shè)備供應(yīng),膜系統(tǒng)的壓差增大,有時(shí)也影響脫鹽率。
(2)純水設(shè)備懸浮物、膠體污染的初期標(biāo)志是反滲透系統(tǒng)的給水/濃水壓差增大。
(3)純水設(shè)備給水中的淤泥膠體來(lái)源通常有:
①細(xì)jun、黏土、大分子有機(jī)物、膠體硅;
②不溶解的金屬鐵的腐蝕產(chǎn)物;
③給水預(yù)處理使用的混凝劑,如鋁鹽、鐵鹽或帶正電荷的聚電解質(zhì)在澄清和過(guò)濾中未能有效除去的物質(zhì);
④預(yù)處理所加入的帶正電荷聚合物的凝聚劑與加入的帶負(fù)電荷的阻垢劑所產(chǎn)生的沉淀顆粒


注冊(cè)資金:200萬(wàn)元人民幣
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