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DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一種有兩個柵極的MOSFET。

DNAFET是一種用作生物感應器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子制成的柵極去檢測相配的DNA鏈。

FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一種用于提供非?？斓闹貑ⅲP閉）體二極管的特殊FET。

HEMT（高電子遷移率晶體管，High Electron Mobility Transistor），也被稱為HFET（異質(zhì)結(jié)場效應晶體管，heterostructure FET），是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中制造的。完全耗盡寬帶隙造成了柵極和體之間的絕緣。

   MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor，IGFET），mos管，而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質(zhì)而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜歡用IGFET，mos管 廠家，但是這些IGFET多半指的是MOSFET。

   MOSFET里的氧化層位于其通道上方，mos管 做開關，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度數(shù)十至數(shù)百埃（Å）不等，mos管 散熱，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide，SiO2），不過有些新的進階制程已經(jīng)可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride，SiON）做為氧化層之用。

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結(jié)構(gòu)特點:第1，金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu)；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，而是自重摻雜N+區(qū)（源極S）出發(fā)，經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū)，最后垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大，所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層，因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。