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圖115為一典型的IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理示意圖。因
為IGBT柵極發(fā)射極阻抗大,故可使用 MOSFET
驅(qū)動(dòng)技術(shù)進(jìn)行觸發(fā),不過由于IGBT的輸入電容較
MOSFET為大,故IGBT的關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多
MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供的偏壓更高。ZGBT逆變
電路、電壓、電流波形圖見圖116。
對IGBT驅(qū)動(dòng)電路的一般要求如下。
① 柵極驅(qū)動(dòng)電壓IGBT開通時(shí),30公斤高壓空壓機(jī),正向柵極電壓的值應(yīng)該足夠令IGBT產(chǎn)生完全飽和,烏什高壓空壓機(jī),
通態(tài)損耗減至小,同時(shí)也應(yīng)限制短路電流和它所帶來的功率應(yīng)力。在任何情況下,開
的柵極驅(qū)動(dòng)電壓,應(yīng)該在12~20V之間。當(dāng)柵極電壓為零時(shí),節(jié)能高壓 空壓機(jī),IGBT處于斷態(tài)。
TLP250包含一個(gè)GaAlAs光發(fā)射二極管和一個(gè)集成光探測,活塞式高壓空壓機(jī),8腳雙列封裝結(jié)構(gòu),適
于IGBT或電力 MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路。表14給出了其工作時(shí)的真值表。
TLP250的典型特征如下:
① 輸入閾值電流 (IF):5mA ;
② 電源電流 (ICC):11mA ;
③ 電源電壓 (VCC):10~35V;
④ 輸出電流 (IO):±05A ;
⑤ 開關(guān)時(shí)間 (tPLH/tPHL):05μs;
⑥ 隔離電壓:2500Vpms。
圖117和圖118給出了TLP250的兩種典型的應(yīng)用電路。
在圖118中,V1和V2的選取與用于IGBT驅(qū)動(dòng)的柵極電阻有直接的關(guān)系,例如,電
電壓為24V時(shí),TR1和TR2的Icmax≥24/Rg。

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