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④ 內(nèi)置的過(guò)流保護(hù)功能使得IGBT能夠更加安全地工作。
⑤ 具有過(guò)流檢測(cè)輸出信號(hào)。
⑥ 單列直插式封裝使其具有高密度的安裝方式。
常用的EXB8系列主要有標(biāo)準(zhǔn)系列的 EXB850和 EXB851,高速系列的 EXB840和
B841。其主要應(yīng)用場(chǎng)合如表15所示。EXB8系列的功能方框圖見(jiàn)圖119。
EXB8系列使用不同的型號(hào),可以驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)400A、電壓高達(dá)1200V的各種型號(hào)的
T。由于驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)延遲時(shí)間分為兩種:標(biāo)準(zhǔn)型 (EXB850、EXB851)≤4μs,高速
(EXB840、EXB841)≤1μs,所以標(biāo)準(zhǔn)型的IC適用于頻率高達(dá)10kHz的開(kāi)關(guān)操作,而高
高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。從等效電路可以看出,IGBT是以BJT
為主導(dǎo)元件,MOSFET為驅(qū)動(dòng)元件的達(dá)林頓結(jié)構(gòu)器件。GTR飽和壓降低,載流密度大,富蘊(yùn)高壓空壓機(jī),但
驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,30公斤高壓空壓機(jī),但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT
綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),DMG空壓機(jī),它用一個(gè) MOS門(mén)極區(qū)來(lái)控制寬基區(qū)的高電壓雙極型晶體管的
電流傳輸,這樣就具有 MOSFET的高輸入阻抗特性與雙極型器件優(yōu)越通態(tài)特性相,驅(qū)動(dòng)功
率小、開(kāi)關(guān)速度快、電流處理能力大和飽和壓降低,非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以

注冊(cè)資金:100.00萬(wàn)人民幣元
聯(lián)系人:孫莉
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