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多測(cè)試系統(tǒng)
WL15VWI
四個(gè)同時(shí)測(cè)定GBT, MOSFET,信號(hào)器DU-104SIF, SBD,DU-192M信號(hào)器, FRD,DU-104SDI信號(hào)器, IPM, IPD, Chip
2000 V / 30 A
四個(gè)同時(shí)測(cè)量方法例
+ 2000 V±20毫安
±128 V±5 A
±60 V±30 A
±64 V±160毫安
32個(gè)同時(shí)測(cè)量可能
高真空度而言,高溫低溫開始到業(yè)界水平,5 kv高耐壓泄漏試驗(yàn)。
次世代ー半導(dǎo)體材料的SiC /氮化鎵也對(duì)應(yīng)
WL25MV
8萬臺(tái)(AC / DC / DC))
數(shù)據(jù)集中管理、控制(多產(chǎn)品Window)
穩(wěn)定生產(chǎn)環(huán)境提供
過電流保護(hù)功能,動(dòng)態(tài)特性試驗(yàn)中的設(shè)備破壞

特征
Vsus,IDP,安順信號(hào)器,TG的判定及可以顯示
短短數(shù)ms(測(cè)量條件的不同,不同)測(cè)試完畢
2站蹺蹺板蹺蹺板
線圈用固定線圈,外觀也測(cè)量也安裝。
TG監(jiān)視,測(cè)試程序中被的線圈以外被安裝時(shí),可檢測(cè)
Item/項(xiàng)目Setup range/設(shè)定*囲 Resolution power/分解能
drain electric current(ID)0.5A~100.0A0.1A
drain voltage(VD) 10.0V~200.0V0.1V
gate forward voltage(VGS)0.0V~30.0V0.1V
gate reverse voltage(VGR)-0.0V~-30.0V0.1V
area designated electric current (IH/IL)0.2A~100.0A0.1A
Vsus limit(V-GATE)10V~2000V1V


注冊(cè)資金:100萬
聯(lián)系人:王小姐
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企業(yè)地址:廣東 越秀區(qū)