安順信號(hào)器,信號(hào)器DU-104SIF,井澤貿(mào)易
信號(hào)器廠家
價(jià)格： 電議
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可銷售總量： 1000件
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多測(cè)試系統(tǒng)
WL15VWI
四個(gè)同時(shí)測(cè)定GBT， MOSFET，信號(hào)器DU-104SIF， SBD，DU-192M信號(hào)器， FRD，DU-104SDI信號(hào)器， IPM， IPD， Chip
2000 V / 30 A
四個(gè)同時(shí)測(cè)量方法例
+ 2000 V±20毫安
±128 V±5 A
±60 V±30 A
±64 V±160毫安
32個(gè)同時(shí)測(cè)量可能
高真空度而言，高溫低溫開始到業(yè)界水平，5 kv高耐壓泄漏試驗(yàn)。
次世代ー半導(dǎo)體材料的SiC /氮化鎵也對(duì)應(yīng)
WL25MV
8萬臺(tái)（AC / DC / DC））
數(shù)據(jù)集中管理、控制（多產(chǎn)品Window）
穩(wěn)定生產(chǎn)環(huán)境提供
過電流保護(hù)功能，動(dòng)態(tài)特性試驗(yàn)中的設(shè)備破壞
特征
Vsus，IDP，安順信號(hào)器，TG的判定及可以顯示
短短數(shù)ms（測(cè)量條件的不同，不同）測(cè)試完畢
2站蹺蹺板蹺蹺板
線圈用固定線圈，外觀也測(cè)量也安裝。
TG監(jiān)視，測(cè)試程序中被的線圈以外被安裝時(shí)，可檢測(cè)
Item／項(xiàng)目Setup range／設(shè)定*囲 Resolution power／分解能
drain electric current（ID）0.5A～100.0A0.1A
drain voltage（VD） 10.0V～200.0V0.1V
gate forward voltage（VGS）0.0V～30.0V0.1V
gate reverse voltage（VGR）-0.0V～-30.0V0.1V
area designated electric current （IH/IL）0.2A～100.0A0.1A
Vsus limit（V-GATE）10V～2000V1V
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深圳市井澤貿(mào)易有限公司
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