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在直流電源回路中,負載的變化會引起電源噪聲。例如在數(shù)字電路中,當(dāng)電路從一個狀態(tài)轉(zhuǎn)換為另一種狀態(tài)時,就會在電源線上產(chǎn)生一個很大的尖峰電流,形成瞬變的噪聲電壓。配置去耦電容可以抑制因負載變化而產(chǎn)生的噪聲,是印制電路板的可靠性設(shè)計的一種常規(guī)做法,配置原則如下:
電源輸入端跨接一個10~100uF的電解電容器,如果印制電路板的位置允許,采用100uF以上的電解電容器的抗干擾效果會更好。為每個集成電路芯片配置一個0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印制電路板空間小而裝不下時,可每4~10個芯片配置一個1~10uF鉭電解電容器,這種器件的高頻阻抗特別小,在500kHz~20MHz范圍內(nèi)阻抗小于1Ω,而且漏電流很小(0.5uA以下)。
對于噪聲能力弱、關(guān)斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件,應(yīng)在芯片的電源線和地線間直接接入去耦電容。去耦電容的引線不能過長,特別是高頻旁路電容不能帶引線。






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三極管的放大原理;
1、發(fā)射區(qū)向基區(qū)擴散電子:由于發(fā)射結(jié)處于正向偏置,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子(自由電子)不斷擴散到基區(qū),并不斷從電源補充進電子,形成發(fā)射極電流IE。
2、電子在基區(qū)擴散和復(fù)合:由于基區(qū)很薄,其多數(shù)載流子(空穴)濃度很低,杭州SOD-123三極管批發(fā),所以從發(fā)射極擴散過來的電子只有很少部分可以和基區(qū)空穴復(fù)合,形成比較小的基極電流IB,而剩下的絕大部分電子都能擴散到集電結(jié)邊緣。
3、集電區(qū)收集從發(fā)射區(qū)擴散過來的電子:由于集電結(jié)反向偏置,可將從發(fā)射區(qū)擴散到基區(qū)并到達集電區(qū)邊緣的電子拉入集電區(qū),從而形成較大的集電極電流IC。


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