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注意事項(xiàng):

(1)為了安全使用場效應(yīng)管,在線路的設(shè)計(jì)中不能超過管的耗散功率,z大漏源電壓、z大柵源電壓和z大電流等參數(shù)的極限值。

(2)各類型場效應(yīng)管在使用時(shí),都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中,要遵守場效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié),mos管工作原理,N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負(fù)偏壓,等等。(3)MOS場效應(yīng)管由于輸入阻抗極高,所以在運(yùn)輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬包裝,mos管開關(guān),以防止外來感應(yīng)電勢將柵極擊穿。尤其要注意,不能將MOS場效應(yīng)管放入塑料盒子內(nèi),通化mos管,保存時(shí)z好放在金屬盒內(nèi),同時(shí)也要注意管的防潮。



MOSFET:

金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,mos管場效應(yīng)管,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。


電氣特性

場效應(yīng)管與晶體管在電氣特性方面的主要區(qū)別有以下幾點(diǎn):貼片場效應(yīng)管場效應(yīng)管1:場效應(yīng)管是電壓控制器件,管子的導(dǎo)電情況取決于柵極電壓的高低。晶體管是電流控制器件,管子的導(dǎo)電情況取決于基極電流的大小。 2:場效應(yīng)管漏源靜態(tài)伏安特性以柵極電壓UGS為參變量,晶體管輸出特性曲線以基極電流Ib 為參變量。。。。。。。。。



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