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石墨烯點(Graphene quantum dot,GQDs)是準(zhǔn)零維的納米材料,由于其內(nèi)部電子在各方向上的運動都受到局限,所以局域效應(yīng)特別顯著,具有許多獨特的物理和化學(xué)性質(zhì)。
與石墨烯相比,石墨烯點與石墨烯相同之處在于厚度上均為單層或少層,通常1~3層,厚度約0.4~2.0nm,差異在于平面取向上的大小不同,前者小于 100nm,加工石墨烯涂料,后者則在微米級尺度以上。石墨烯是特有的能隙為零的半導(dǎo)體,因此不具有光電轉(zhuǎn)換性質(zhì),極大的限制了石墨烯在微電子及光電轉(zhuǎn)化領(lǐng)域中的應(yīng)用,而石墨烯點實現(xiàn)了將無能隙石墨烯到非零能隙石墨烯的轉(zhuǎn)變,石墨烯涂料廠家,從而為制備分子級的石墨烯電子器件提供了基礎(chǔ)。

自上而下法是通過簡單的物理化學(xué)作用,石墨烯涂料,進(jìn)行熱解和機械剝離塊狀石墨,得到尺寸較小的GQDs,是最常用的制備方法,比如改進(jìn)的Hummers法、水熱合成法、等離子體刻蝕法、電化學(xué)法、微波和超聲輔助法等。自上而下制備GQDs的方法具有原料便宜易得,制備工藝簡便易行,并且能夠進(jìn)行大規(guī)模制備等優(yōu)點。通過此方法所得的GQDs邊緣上含有豐富的含氧官能團,具有良好的溶解性,同時也有利于其進(jìn)一步進(jìn)行化學(xué)修飾,但是這種方法也存在很多不足,比如制備生產(chǎn)過程中需要特殊的儀器設(shè)備,生產(chǎn)環(huán)境比較苛刻,且所得到的GQDs產(chǎn)率很低,碳環(huán)表面被大量含氧官能團修飾,破壞了六元環(huán)結(jié)構(gòu),自上而下的制備過程中不容易進(jìn)行有效控制,最終得到的GQDs形貌和尺寸分布不穩(wěn)定。

