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蘇州硅能(圖)|mos管場效應(yīng)管|mos管

mos管場效應(yīng)管廠家

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場效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較

場效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場效應(yīng)管。

場效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環(huán)境變化較大的場合，采用場效應(yīng)管比較合適。

場效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。

場效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對稱的，可以互換使用，mos管廠家，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，mos管，使用場效應(yīng)管比晶體管靈活。

測試方法：

結(jié)型場管腳識別

場效應(yīng)管的柵極相當(dāng)于晶體管的基極，mos管場效應(yīng)管，源極和漏極分別對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極和集電場效應(yīng)管極。

將萬用表置于R×1k檔，用兩表筆分別測量每兩個管腳間的正、反向電阻。當(dāng)某兩個管腳間的正、反向電阻相等，均為數(shù)KΩ時，則這兩個管腳為漏極D和源極S（可互換），余下的一個管腳即為柵極G。對于有4個管腳的結(jié)型場效應(yīng)管，mos管開關(guān)作用，另外一極是極（使用中接地）。

3：場效應(yīng)管電流IDS與柵極UGS之間的關(guān)系由跨導(dǎo)Gm 決定，晶體管電流Ic與Ib 之間的關(guān)系由放大系數(shù)β決定。也就是說，場效應(yīng)管的放大能力用Gm 衡量，晶體管的放大能力用β衡量。

4：場效應(yīng)管的輸入阻抗很大，輸入電流極??；晶體管輸入阻抗很小，在導(dǎo)電時輸入電流較大。

5：一般場效應(yīng)管功率較小，晶體管功率較大。

蘇州硅能(圖)|mos管場效應(yīng)管|mos管由蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司提供。蘇州硅能(圖)|mos管場效應(yīng)管|mos管是蘇州硅能半導(dǎo)體科技股份有限公司（www.silikron.com）今年全新升級推出的，以上圖片僅供參考，請您撥打本頁面或圖片上的聯(lián)系電話，索取新的信息，聯(lián)系人：夏經(jīng)理。標(biāo)簽： mos管場效應(yīng)管 mos管場效應(yīng)管廠家