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北京市銦錫合金廠家

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高純銅靶材的應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢

北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學鍍膜材料等。

高純銅靶材的應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢

      高純銅靶材主要應(yīng)用領(lǐng)域

高純銅靶材主要應(yīng)用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等;可應(yīng)用于玻璃鍍膜領(lǐng)域;還可以應(yīng)用于耐磨材料、高溫耐蝕、裝飾用品等行業(yè)。

信息存儲產(chǎn)業(yè):隨著信息及計算機技術(shù)的不斷發(fā)展,市場對記錄介質(zhì)的需求量越來越大,與之相應(yīng)的記錄介質(zhì)用靶材市場也不斷擴大,其相關(guān)產(chǎn)品有硬盤、磁頭、光盤(CD-ROM,CD-R,DVD-R等)、磁光相變光盤(MO,CD-RW,DVD-RAM)。

集成電路產(chǎn)業(yè):在半導體應(yīng)用領(lǐng)域,靶材是靶材市場的主要組成之一,主要用于電極互連線膜、阻擋層薄膜、接觸薄膜、光盤掩膜、電容器電極膜、電阻薄膜等方面。


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濺射靶材

北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學鍍膜材料等。

  靶材要求:

純度     陶瓷靶材的純度對濺射薄膜的性能影響很大,陶瓷靶材的純度越高,濺射薄膜的均勻性和批量產(chǎn)品質(zhì)量的一致性越好。近年來隨著微電子產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,硅器件布線寬度已發(fā)展到0.13μm,對成膜面積的薄膜均勻性要十分嚴格,其純度必須大于4N。此外顯示平面用的ITO靶材對純度也要求十分嚴格,要求ITO的純度都大于4N。磁性薄膜用陶瓷靶材的純度也要不低于3N。靶材作為濺射中的陰極源,固體中的雜質(zhì)是沉積薄膜的主要污染源,如:堿金屬離子(Na+、K+)易在絕緣層(SiO)中成為可移動性離子,降低元器件性能,銦錫合金,其含量須在0.01ppm(重量)以下。

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靶材的主要性能要求

北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學鍍膜材料等。

靶材的主要性能要求

      純度

純度是靶材的主要性能指標之一,因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。不過在實際應(yīng)用中,對靶材的純度要求也不盡相同。例如,隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展,硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求,銦錫合金廠,而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。

雜質(zhì)含量

靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如,半導體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材,對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。

密度

為了減少靶材固體中的氣孔,提高濺射薄膜的性能,通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率,還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應(yīng)力。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標之一。

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

通常靶材為多晶結(jié)構(gòu),晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材,晶粒細小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快;而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

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北京石久高研金屬材料有限公司
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