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濺射靶材
北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學(xué)鍍膜材料等。

靶材的成分與結(jié)構(gòu)均勻性
為了保證濺射薄膜均勻,尤其在復(fù)雜的大面積鍍膜應(yīng)用方面,必須做到靶材成分與結(jié)構(gòu)均勻性好,這也是考察陶瓷靶材質(zhì)量的重要指標(biāo)之一。例如,為了保證質(zhì)量,要求ITO靶中In2O3, SnO2組成均勻,都為93:7或91:9(分子比)。特別是濺射靶材的微觀結(jié)構(gòu)均勻性對(duì)濺射時(shí)的成膜速率、沉積薄膜的質(zhì)量及厚度分布等均有很大的影響。根據(jù)有關(guān)研究表明,細(xì)晶粒(<100μm)結(jié)構(gòu)濺射靶材的成膜速率大于粗晶粒靶。因此,當(dāng)陶瓷靶材在靶面尺寸上的晶粒分布不均勻時(shí),將造成沉積薄膜厚度分布的不均勻現(xiàn)象。

石久高研專注15年提供高純金屬靶材 、高純靶材歡迎來電咨詢~~~





濺射靶材
北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學(xué)鍍膜材料等。

靶中毒的物理解釋
一般情況下,金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高,鉻靶批發(fā),靶中毒后,鉻靶,靶材表面都是金屬化合物,在受到離子轟擊之后,釋放的二次電子數(shù)量增加,提高了空間的導(dǎo)通能力,鉻靶多少錢,降低了等離子體阻抗,導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400v-600v之間,當(dāng)發(fā)生靶中毒時(shí),濺射電壓會(huì)顯著降低。

濺射靶材
北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學(xué)鍍膜材料等。

靶中毒的解決辦法
1、采用中頻電源或射頻電源。
2、采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。
3、采用孿生靶
4、控制鍍膜模式的變換:在鍍膜前,采集靶中毒的遲滯效應(yīng)曲線,使進(jìn)氣流量控制在產(chǎn)生靶中毒的前沿,確保工藝過程始終處于沉積速率陡降前的模式。

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