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東莞市卓旺電子科技有限公司成立于2010年,是專業(yè)從事鋁電解電容器產(chǎn)品生產(chǎn)經(jīng)營的。公司擁有自主品牌“Zhuohao”,生產(chǎn)超小型、普通型、低漏電型、高頻低阻、高浪涌抗雷擊、無極性等系列鋁電解電容器,歡迎您的來電!
設計上考慮因素
在非固態(tài)電解液的電容里,電介質(zhì)為陽極鋁箔氧化層。電解液作為陰極鋁箔和陽極鋁箔氧化層之間的電接觸。吸收電解液的紙介層成為陰極鋁箔與陽極鋁箔之間的隔離層,鋁箔通過電極引接片連接到電容的終端。
. 通過降低ESR值,可減少電容內(nèi)由紋波電流引起的內(nèi)部溫升。這可通過采用多個電極引接片、激光焊接電極等措施實現(xiàn)。
ESR值和紋波電流決定了電容的溫升。促使電容能有滿意的ESR值的主要措施之一是:通常用一個或多個金屬電極引接片連接外部電極和芯包,降低芯包和引腳之間的阻抗。芯包上的電極引接片越多,電容的ESR值越低。借助于激光焊接技術(shù),可在芯包上加上更多的電極引接片,因此使電容能達到較低的ESR值。這也意味著電容能經(jīng)受更高的紋波電流和具有較低內(nèi)部溫升,也就是說更長的工作壽命。這樣做也有利于提高電容抗擊震動的能力,否則有可能導致內(nèi)部短路、高的漏電流、容值損失、ESR值的上升和電路開路。
. 通過對電容芯包和鋁殼底部之間良好的機械接觸及通過芯包中間的熱沉,可將電容內(nèi)部熱量有效地從鋁殼底部釋放到與之聯(lián)接的底板。
內(nèi)部熱傳導設計對于電容的穩(wěn)定性和工作壽命極其重要。在Evox Rifa公司的設計中,負極鋁箔被延長到可直接接觸電容鋁殼厚的底部。這底部就成為芯包的散熱片,以使熱點的熱量能釋放。如選用帶螺栓安裝方式,安全地將電容安裝到底板上(通常為鋁板),可得到更為quan面的具有較低熱阻(Rth.)的熱傳導解決方案。
. 通過采用整體繞注有電極的酚醛塑料蓋和雙重的te制的封墊與鋁殼緊密咬合,可大大減少電解液的損失。
電解液通過密封墊的蒸發(fā)決定了長壽命的電解電容工作時間。當電容的電解液蒸發(fā)到一定程度,電容將最終失效(這個結(jié)果會因內(nèi)部溫升而加速)。Evox Rifa公司設計的雙層密封系統(tǒng)可減緩電解液蒸發(fā)速度,使電容達到其最長的工作壽命。
以上這些特性保證了電容在要求的領(lǐng)域中具有很長的工作壽命。








東莞市卓旺電子科技有限公司成立于2010年,是專業(yè)從事鋁電解電容器產(chǎn)品生產(chǎn)經(jīng)營的。公司擁有自主品牌“Zhuohao”,生產(chǎn)超小型、普通型、低漏電型、高頻低阻、高浪涌抗雷擊、無極性等系列鋁電解電容器,歡迎您的來電!
每個集成運放的電源引線,一般都應采用去偶旁路措施,如圖所示圖中的高頻旁路電容,通??蛇x用高頻性能優(yōu)良的陶瓷電容,牛腳電解電容,其值約為0.1μF?;虿捎胠μF的鉭電容。這些電容的內(nèi)電感值都較小。在運放的高速應用時,旁路電容C1和C2應接到集成運放的電源引腳上,引線盡量短,這樣可以形成低電感接地回路。
注:當所使用的放大器的增益帶寬乘積大于10MHz時,應采用更嚴格的高頻旁路措施,此時應選用射頻旁路電容,對于通用集成芯片,對旁路的要求不高,但也不能忽視,通常最i好每4~5個器件加一套旁路電容。不論所用集成電路器件有多少,每個印刷板都要至少加一套旁路電容。
在直流電源回路中,負載的變化會引起電源噪聲。例如在數(shù)字電路中,當電路從一個狀態(tài)轉(zhuǎn)換為另一種狀態(tài)時,就會在電源線上產(chǎn)生一個很大的尖峰電流,形成瞬變的噪聲電壓。配置去耦電容可以抑制因負載變化而產(chǎn)生的噪聲,是印制電路板的可靠性設計的一種常規(guī)做法,配置原則如下:
●電源輸入端跨接一個10~100uF的電解電容器,如果印制電路板的位置允許,采用100uF以上的電解電容器的抗干擾效果會更好。
●為每個集成電路芯片配置一個0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印制電路板空間小而裝不下時,可每4~10個芯片配置一個1~10uF鉭電解電容器,這種器件的高頻阻抗特別小,在500kHz~20MHz范圍內(nèi)阻抗小于1Ω,而且漏電流很小(0.5uA以下)。
●對于噪聲能力弱、關(guān)斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件,應在芯片的電源線(Vcc)和地線(GND)間直接接入去耦電容。
●去耦電容的引線不能過長,特別是高頻旁路電容不能帶引線。
在直流電源回路中,負載的變化會引起電源噪聲。例如在數(shù)字電路中,當電路從一個狀態(tài)轉(zhuǎn)換為另一種狀態(tài)時,就會在電源線上產(chǎn)生一個很大的尖峰電流,形成瞬變的噪聲電壓。配置去耦電容可以抑制因負載變化而產(chǎn)生的噪聲,是印制電路板的可靠性設計的一種常規(guī)做法,配置原則如下:
●電源輸入端跨接一個10~100uF的電解電容器,如果印制電路板的位置允許,采用100uF以上的電解電容器的抗干擾效果會更好。
●為每個集成電路芯片配置一個0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印制電路板空間小而裝不下時,可每4~10個芯片配置一個1~10uF鉭電解電容器,這種器件的高頻阻抗特別小,在500kHz~20MHz范圍內(nèi)阻抗小于1Ω,而且漏電流很小(0.5uA以下)。
●對于噪聲能力弱、關(guān)斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件,應在芯片的電源線(Vcc)和地線(GND)間直接接入去耦電容。
●去耦電容的引線不能過長,特別是高頻旁路電容不能帶引線。在直流電源回路中,負載的變化會引起電源噪聲。例如在數(shù)字電路中,當電路從一個狀態(tài)轉(zhuǎn)換為另一種狀態(tài)時,就會在電源線上產(chǎn)生一個很大的尖峰電流,形成瞬變的噪聲電壓。配置去耦電容可以抑制因負載變化而產(chǎn)生的噪聲,是印制電路板的可靠性設計的一種常規(guī)做法,配置原則如下:
●電源輸入端跨接一個10~100uF的電解電容器,如果印制電路板的位置允許,采用100uF以上的電解電容器的抗干擾效果會更好。
●為每個集成電路芯片配置一個0.01uF的陶瓷電容器。如遇到印制電路板空間小而裝不下時,可每4~10個芯片配置一個1~10uF鉭電解電容器,這種器件的高頻阻抗特別小,在500kHz~20MHz范圍內(nèi)阻抗小于1Ω,而且漏電流很小(0.5uA以下)。
●對于噪聲能力弱、關(guān)斷時電流變化大的器件和ROM、RAM等存儲型器件,應在芯片的電源線(Vcc)和地線(GND)間直接接入去耦電容。
●去耦電容的引線不能過長,特別是高頻旁路電容不能帶引線


東莞市卓旺電子科技有限公司成立于2010年,是專業(yè)從事鋁電解電容器產(chǎn)品生產(chǎn)經(jīng)營的。公司擁有自主品牌“Zhuohao”,生產(chǎn)超小型、普通型、低漏電型、高頻低阻、高浪涌抗雷擊、無極性等系列鋁電解電容器,歡迎您的來電!
電解電容對開關(guān)電源紋波的抑制
開關(guān)電源輸出之后,接LDO濾波
這是減少紋波和噪聲最a有效的辦法,輸出電壓恒定,不需要改變原有的反饋系統(tǒng),但也是成本最a高,功耗最a高的辦法。
任何一款LDO都有一項指標:噪音抑制比。是一條頻率-dB曲線,如右圖是凌特公司LT3024的曲線。
經(jīng)過LDO之后,開關(guān)紋波一般在10mV以下。
下圖是LDO前后的紋波對比:
對比曲線上圖的曲線和左圖的波形,可以看出對幾百KHz的開關(guān)紋波,LDO的抑制效果非常好。但在高頻范圍內(nèi),該LDO的效果就不那么理想了。
對減小紋波。開關(guān)電源的PCB布線也非常關(guān)鍵,這是個很赫手的問題。有專門的開關(guān)電源PCB 工程師,簡單的可以參考美國國半公司的AN1229:SIMPLE SWITCHER PCB Layout Guidelines, (網(wǎng)上有翻譯的中文摘要)
對于高頻噪聲,由于頻率高幅值較大,后級濾波雖然有一定作用,但效果不明顯。這方面有專門的研究,簡單的做法是在二極管上并電容C或RC,或串聯(lián)電感。


注冊資金:500萬
聯(lián)系人:姚先生
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