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磁控濺射靶材
北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學(xué)鍍膜材料等。

磁控濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域
存儲(chǔ)用在儲(chǔ)存技術(shù)方面,高密度、大容量硬盤的發(fā)展,需要大量的巨磁阻薄膜材料,CoF ~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的 T b F e C o合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展,用它制造的磁光 盤具有存儲(chǔ)容量大,壽命長,可反復(fù)無接觸擦寫的特 點(diǎn)。如今開發(fā)出來的磁光盤,具有 T b F e C o / T a和 T b F e C o / Al 的 層復(fù)合膜結(jié)構(gòu),氧化銻, T bF eCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr 旋轉(zhuǎn)角達(dá)到5 8,而T b F e Co f F a 則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn), 低磁導(dǎo)率的靶材高交流局部放電電壓 l 抗電強(qiáng)度。

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光學(xué)鍍膜
北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學(xué)鍍膜材料等。

技術(shù)特征
1)第1代抗磨損膜技術(shù)
抗磨損膜始于20世紀(jì)70年代初,當(dāng)時(shí)認(rèn)為玻璃鏡片不易磨制是因?yàn)槠溆捕雀?,而有機(jī)鏡片則太軟所以容易磨損。因此將石英材料于真空條件下鍍在有機(jī)鏡片表面,氧化銻廠家,形成一層非常硬的抗磨損膜,但由于其熱脹系數(shù)與片基材料的不匹配,很容易脫膜和膜層脆裂,因此抗磨損效果不理想。
2)第二代抗磨損膜技術(shù)
20世紀(jì)80年代以后,研究人員從理論上發(fā)現(xiàn)磨損產(chǎn)生的機(jī)理不僅僅與硬度相關(guān),膜層材料具有“硬度/形變”的雙重特性,即有些材料的硬度較高,但變形較小,而有些材料硬度較低,但變形較大。第二代的抗磨損膜技術(shù)就是通過浸泡工藝法在有機(jī)鏡片的表面鍍上一種硬度高且不易脆裂的材料。
3)第三代抗磨損膜技術(shù)
第三代的抗磨損膜技術(shù)是20世紀(jì)90年代以后發(fā)展起來的,主要是為了解決有機(jī)鏡片鍍上減反射膜層后的耐磨性問題。由于有機(jī)鏡片片基的硬度和減反射膜層的硬度有很大的差別,新的理論認(rèn)為在兩者之間需要有一層抗磨損膜層,氧化銻供應(yīng)商,使鏡片在受到砂礫磨擦?xí)r能起緩沖作用,并而不容易產(chǎn)生劃痕。第三代抗磨損膜層材料的硬度介于減反射膜和鏡片片基的硬度之間,其磨擦系數(shù)低且不易脆裂。
4)第四代抗磨損膜技術(shù)
第四代的抗膜技術(shù)是采用了硅原子,例如法國依視路公司的帝鍍斯(TITUS)加硬液中既含有有機(jī)基質(zhì),又含有包括硅元素的無機(jī)超微粒物,使抗磨損膜具備韌性的同時(shí)又提高了硬度。現(xiàn)代的鍍抗磨損膜技術(shù)最主要的是采用浸泡法,即鏡片經(jīng)過多道清洗后,浸入加硬液中,一定時(shí)間后,以一定的速度提起。這一速度與加硬液的黏度有關(guān),并對抗磨損膜層的厚度起決定作用。提起后在100 °C左右的烘箱中聚合4-5小時(shí),鍍層厚約3-5微米。

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真空鍍膜靶材
北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學(xué)鍍膜材料等。

靶中毒的影響因素
影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例,反應(yīng)氣體過量就會(huì)導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加,化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時(shí)調(diào)整反應(yīng)氣體流量,化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制,濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋,當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時(shí)候,靶完全中毒,在靶面上沉積一層化合金屬膜。使其很難被再次反應(yīng)。

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