半導(dǎo)體設(shè)計開發(fā)、半導(dǎo)體設(shè)計、蘇州拓光微電子公司(查看)

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以GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料及器件的開發(fā)是新興半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)，其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢態(tài)。GaN基光電器件中，藍色發(fā)光二極管LED率先實現(xiàn)商品化生產(chǎn) 成功開發(fā)藍光LED和LD之后，科研方向轉(zhuǎn)移到GaN紫外光探測器上 GaN材料在微波功率方面也有相當大的應(yīng)用市場。氮化半導(dǎo)體開關(guān)被譽為半導(dǎo)體芯片設(shè)計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學(xué)的科學(xué)家已經(jīng)開發(fā)出一種可用于制造新型電子開關(guān)的重要器件，這種電子開關(guān)可以提供平穩(wěn)、無間斷電源

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除了可摻雜性之外，半導(dǎo)體還具有熱敏性、光敏性、負電阻率溫度、可整流等幾個特性，因此半導(dǎo)體材料除了用于制造大規(guī)模集成電路之外，還可以用于功率器件、光電器件、壓力傳感器、熱電制冷等用途；利用微電子的超微細加工技術(shù)，還可以制成MEMS（微機械電子系統(tǒng)），應(yīng)用在電子、醫(yī)療領(lǐng)域。

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半導(dǎo)體材料的制造

為了滿足量產(chǎn)上的需求，半導(dǎo)體的電性必須是可預(yù)測并且穩(wěn)定的，因此包括摻雜物的純度以及半導(dǎo)體晶格結(jié)構(gòu)的品質(zhì)都必須嚴格要求。常見的品質(zhì)問題包括晶格的錯位（dislocation）、雙晶面（twins），或是堆棧錯誤（stacking fault）都會影響半導(dǎo)體材料的特性。對于一個半導(dǎo)體元件而言，材料晶格的缺陷通常是影響元件性能的主因。