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小型高真空電阻蒸發(fā)鍍膜設(shè)備-蒸鍍電極
★ 可鍍110mm方形基片或15~25mm ITO/FTO玻璃25片,蒸鍍,可定制一體化高精度刻蝕掩膜板;
★ 襯底可選擇加熱或水冷,蘇州蒸鍍設(shè)備,源基距≥300mm;
★ 良好的薄膜均勻性和重復(fù)性,可在線監(jiān)測和控制蒸發(fā)速率、膜厚;
★ 可沉積金屬(Au, Ag, Al, Ca, Cu, Mg, Fe, Cr, Ni等)、非金屬、化合物(MoO3, LiF等)及有機(jī)物材料,可拓展沉積單層膜、多層膜及混合膜;
★ 設(shè)備集成度高,結(jié)構(gòu)緊湊,無錫蒸鍍設(shè)備,占地面積?。?.92平米);設(shè)備配腳輪,方便移動(dòng)和定位。

蒸鍍概念
蒸鍍是將待成膜的物質(zhì)置于真空中進(jìn)行蒸發(fā)或升華,使之在工件或基片表面析出的過程。
蒸鍍工藝
真空蒸鍍工藝一般包括基片表面清潔、鍍膜前的準(zhǔn)備、蒸鍍、取件、鍍后處理、檢測、成品等步驟。(1)基片表面清潔。真空室內(nèi)壁、基片架等表面的油污、銹跡、殘余鍍料等在真空中易蒸發(fā),直接影響膜層的純度和結(jié)合力。鍍前必須清沽干凈。

注冊資金:1000萬
聯(lián)系人:張總
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企業(yè)地址:江蘇