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ZnO晶相位于晶粒體內(nèi)，為低電阻率的半導(dǎo)體，對大電流特性有決定性作用。ZnO半導(dǎo)化的原因主要是氧不足導(dǎo)致的非化學(xué)計量比和施主摻雜，有大量的導(dǎo)電電子存在，為n型半導(dǎo)體。富鉍相，約在750℃形成12/14 Bi2O3
·Cr2O3 ，溫度低于850℃參與形成焦綠石相，超過850℃后從焦綠石相中分離出來，生成含
Cr的富鉍相，含有尖晶石相和Zn，隨著溫度的升高，Cr逐步移到尖晶石相中。
Cr有穩(wěn)定尖晶石相的作用，高溫冷卻時，可以阻止生成焦綠石相。 焦綠石相700-900℃時形成，850℃時達到峰值，約950℃時消失，
反應(yīng)式如下
2Zn2Bi3Sb3O 14+ 17ZnO ——3Zn7Sb2O 12+ 3Bi2O3
由于壓敏電阻型號太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！
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壓敏電阻器在電路的過電壓防護中，如果正常工作在預(yù)擊穿區(qū)和擊穿區(qū)，理論上是不會損壞的。但由于壓敏電阻器要長期承受電源電壓，電路中暫態(tài)過電壓、超能量過電壓隨機的不斷沖擊及吸收電路儲能元件釋放能量，因此，壓敏電阻器也是會損壞的它的壽命根據(jù)所在電路經(jīng)受的過電壓幅值和能量的不同而不同。
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非線性區(qū)域：
中電場區(qū)為非線性區(qū)域，也是壓敏電阻器應(yīng)用中最重要的區(qū)域，導(dǎo)電機理主要是隧道電流及空穴生成降低勢壘。如只考慮隧道效應(yīng)J = J0exp(-λ/E)，λ為3π(2m)1/2φ3/2/2he,E為耗盡層中的電場強度，算出的a值低于50。
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