安規(guī)壓敏電阻器_過(guò)壓保護(hù)|防浪涌_壓敏電阻器

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電壓比與殘壓UR

電壓比指壓敏電阻器的電流為1mA時(shí)產(chǎn)生的電壓值與壓敏電阻器的電流為0.1mA時(shí)產(chǎn)生的電壓值之比。

殘壓UR是指特定波形的浪涌電流流入壓敏電阻器時(shí)，它兩端電壓的峰值。一般來(lái)說(shuō)，流入壓敏電阻器的浪涌電流的峰值都在1mA以上，對(duì)通用壓敏電阻和防雷型壓敏電阻而言，所謂特定波形指的是IEC本60060-2: 1973標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的8/20 μs標(biāo)準(zhǔn)雷電流波形。

源林電子的壓敏電阻器廣受贊譽(yù)，可靠性高、，具有很強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，想了解更多溫度傳感器資料，歡迎來(lái)電咨詢(xún)！

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氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應(yīng)用于過(guò)電壓保護(hù)、浪涌吸收、過(guò)電流泄放等方面,是防護(hù)電氣電子設(shè)備因受雷電閃擊及其他瞬態(tài)電磁干擾造成傳導(dǎo)過(guò)電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護(hù)效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統(tǒng)或設(shè)備運(yùn)行中必然存在老化劣化現(xiàn)象,

故必須對(duì)其進(jìn)行定期檢測(cè),以防止老化劣化產(chǎn)品仍工作在系統(tǒng)或設(shè)備中。然而,目前檢測(cè)方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I

leakage兩個(gè)參數(shù)都存在拐點(diǎn)效應(yīng),即只有當(dāng)MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會(huì)出現(xiàn)顯著變化;而在這個(gè)拐點(diǎn)之前U1mA和

Ileakage都符合SJ/T10349-93測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的要求[8],這就給檢測(cè)結(jié)果帶來(lái)不確定性。某個(gè)產(chǎn)品自身已經(jīng)老化劣化到一定程度需要及時(shí)更換,但U1mA和Ileakage檢測(cè)值仍然合格。

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氧化鋅壓敏電阻的缺陷：

ZnO壓敏電阻器中的缺陷有正一價(jià)和正二價(jià)的Zni和Vo，負(fù)一價(jià)和負(fù)二價(jià)的

VZn ，正一價(jià)的DZn。VZn主要在晶界處，VZn為受主態(tài)，使晶粒表面形成一電子耗盡層而產(chǎn)生勢(shì)壘，約0.7eV。Zni容易遷移為亞穩(wěn)態(tài)，是老化產(chǎn)生的根源所在。DZn可降低晶粒體的電阻，提高通流容量。Vo在氧不足的ZnO-x中量很少，主要存在于晶界中。高溫時(shí)原子運(yùn)動(dòng)加劇，在晶界中形成大量的VZn和Vo，但Vo在冷卻過(guò)程中容易從空氣中吸收氧而消失。

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