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濺射靶材
北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學(xué)鍍膜材料等。

靶材的密度
為了減少陶瓷靶材中的氣孔,提高薄膜的性能,一般要求濺射陶瓷靶材具有高密度。通常,靶材的密度不僅影響濺射時的沉積速率、濺射膜粒子的密度和放電現(xiàn)象等,還影響著濺射薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材越密實(shí),濺射膜粒子的空間分布濃度越低,放電現(xiàn)象越弱,而薄膜的性能也會越好。此外,提高陶瓷靶材的致密度和強(qiáng)度能使靶材更好地承受濺射過程中的熱應(yīng)力。因此,提高靶材的密度是制備陶瓷靶材的關(guān)鍵技術(shù)之一。在成型加工方法中預(yù)成型壓力也是重要因素,靶材的預(yù)成形壓力小,相應(yīng)靶坯料的密度也小,這對靶材的燒結(jié)自然十分有利,靶材氧擴(kuò)散好,相轉(zhuǎn)變完全,靶材內(nèi)部不易產(chǎn)生“夾芯”,但另一方面使靶材的機(jī)械強(qiáng)度降低,易發(fā)生破裂,不利于薄膜工藝使用.結(jié)合薄膜工藝、靶材應(yīng)用活性和靶材加工實(shí)踐考慮,一般情況下,靶材表觀密度達(dá)理論密度控制在>55%~80%即可。粉末冶金法制造的靶材, 則極有可能含有一定數(shù)量的氣孔。氣孔的存在會導(dǎo)致濺射時產(chǎn)生不正常放電而產(chǎn)生雜質(zhì)粒子,另外含有氣孔的靶材在搬動、運(yùn)輸 、安裝、操作時因其密度較低,也極易發(fā)生碎裂 。由采用真空熔煉方法制造的靶材可確保塊材內(nèi)部無氣孔存在

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真空鍍膜靶材
北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學(xué)鍍膜材料等。

靶中毒的影響因素
影響靶中毒的因素主要是反應(yīng)氣體和濺射氣體的比例,反應(yīng)氣體過量就會導(dǎo)致靶中毒。反應(yīng)濺射工藝進(jìn)行過程中靶表面濺射溝道區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)被反應(yīng)生成物覆蓋或反應(yīng)生成物被剝離而重新暴露金屬表面此消彼長的過程。如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。在一定功率的情況下,參與化合物生成的反應(yīng)氣體量增加,化合物生成率增加。如果反應(yīng)氣體量增加過度,化合物覆蓋面積增加,如果不能及時調(diào)整反應(yīng)氣體流量,化合物覆蓋面積增加的速率得不到抑制,濺射溝道將進(jìn)一步被化合物覆蓋,當(dāng)濺射靶被化合物全部覆蓋的時候,靶完全中毒,鈷靶廠商,在靶面上沉積一層化合金屬膜。使其很難被再次反應(yīng)。

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靶材的主要性能要求
北京石久高研金屬材料有限公司成立于2005年,江西鈷靶, 石久高研致力于鍍膜靶材和蒸發(fā)料的研發(fā)和生產(chǎn)工作,鈷靶廠家哪家好,為電子行業(yè)、玻璃工業(yè)、數(shù)據(jù)存儲、裝飾鍍膜、工具鍍膜等行業(yè)的鍍膜企業(yè)提供的靶材和蒸發(fā)料。公司主營金屬靶材、金屬材料、光學(xué)鍍膜材料等。

靶材的主要性能要求
純度
純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一,因?yàn)榘胁牡募兌葘Ρ∧さ男阅苡绊懞艽?。不過在實(shí)際應(yīng)用中,對靶材的純度要求也不盡相同。例如,隨著微電子行業(yè)的迅速發(fā)展,硅片尺寸由6”, 8“發(fā)展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um,鈷靶公司,以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求,而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質(zhì)含量
靶材固體中的雜質(zhì)和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質(zhì)含量的要求也不同。例如,半導(dǎo)體工業(yè)用的純鋁及鋁合金靶材,對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
為了減少靶材固體中的氣孔,提高濺射薄膜的性能,通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率,還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和強(qiáng)度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應(yīng)力。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。
晶粒尺寸及晶粒尺寸分布
通常靶材為多晶結(jié)構(gòu),晶粒大小可由微米到毫米量級。對于同一種靶材,晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快;而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。

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