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北京冠測,蘭州市介電常數(shù)、介質(zhì)損耗測試儀效果好嗎?

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介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應(yīng)電荷而削弱電場,介質(zhì)中的電場減小與原外加電場(真空中)的比值即為相對介電常數(shù)(relative permittivity或dielectric constant),又稱誘電率,與頻率相關(guān)。介電常數(shù)是相對介電常數(shù)與真空中絕介電常數(shù)乘積。如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中,電場的強(qiáng)度會在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。理想導(dǎo)體的相對介電常數(shù)為無窮大。根據(jù)物質(zhì)的介電常數(shù)可以判別高分子材料的極性大小。通常,相對介電常數(shù)大于3.6的物質(zhì)為極性物質(zhì);相對介電常數(shù)在2.8~3.6范圍內(nèi)的物質(zhì)為弱極性物質(zhì);相對介電常數(shù)小于2.8為非極性物質(zhì)。


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早在1997年,人們就認(rèn)為在2003年,液體介電常數(shù)測定儀優(yōu)質(zhì)商家,集成電路工藝中將使用的絕緣材料的介電常數(shù)(k值)將達(dá)到1.5。然而隨著時間的推移,這種樂觀的估計(jì)被不斷更新。


到2003年,國際半導(dǎo)體技術(shù)規(guī)劃(ITRS 2003[7])給出低介電常數(shù)材料在集成電路未來幾年的應(yīng)用,其介電常數(shù)范圍已經(jīng)變成2.7~3.1。造們的預(yù)計(jì)與現(xiàn)實(shí)如此大差異的原因是,在集成電路工藝中,低介電常數(shù)材料必須滿足諸多條件,例如:足夠的機(jī)械強(qiáng)度(MECHANICAL strength)以支撐多層連線的架構(gòu)、高楊氏系數(shù)(Young's modulus)、高擊穿電壓(breakdown voltage>4MV/cm)、低漏電(leakage current<10-9 at 1MV/cm)、高熱穩(wěn)定性(thermal stability >450oC)、良好的粘合強(qiáng)度(adhesion strength)、低吸水性(low moisture uptake)、低薄膜應(yīng)力(low film stress)、高平坦化能力(planarization)、低熱漲系數(shù)(coefficient of thermal expansion)以及與化學(xué)機(jī)械拋光工藝的兼容性(compatibility with CMP process)等等。能夠滿足上述特性的低介電常數(shù)材料并不容易獲得。例如,薄膜的介電常數(shù)與熱傳導(dǎo)系數(shù)往往就呈反比關(guān)系。因此,低介電常數(shù)材料本身的特性就直接影響到工藝集成的難易度。



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