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單晶硅是制造半導(dǎo)體硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開(kāi)關(guān)器件等。在開(kāi)發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。單晶硅按晶體生長(zhǎng)方法的不同,分為直拉法(CZ)、區(qū)熔法(FZ)和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅棒材,外延法生長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。、

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光伏電站越建越多,如何降低度電成本一直以來(lái)是行業(yè)討論的熱點(diǎn),也已成為電站業(yè)主們首要考慮的問(wèn)題,光伏轉(zhuǎn)換效率是度電成本降低的核心因素。越來(lái)越多的電站持有者及光伏電站的業(yè)主們將目光轉(zhuǎn)向光伏電站的項(xiàng)目的發(fā)電效率和度電成本,這為單晶硅電池組件的強(qiáng)勢(shì)回轉(zhuǎn)創(chuàng)造了有利的發(fā)展環(huán)境。

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單晶硅制備與仿1真主要有兩種方法:直拉法(Cz法)、區(qū)熔法(FZ法);
區(qū)熔法區(qū)熔法可用于制備單晶和提純材料,碎單晶硅片回收,還可得到均勻的雜質(zhì)分布。這種技術(shù)可用于生產(chǎn)純度很高的半導(dǎo)體、金屬、合金、無(wú)機(jī)和有機(jī)化合物晶體。在區(qū)熔法制備硅單晶中,往往是將區(qū)熔提純與制備單晶結(jié)合在一起,能生長(zhǎng)出質(zhì)量較好的中高阻硅單晶[5] 。區(qū)熔單晶爐主要包括:雙層水冷爐室、長(zhǎng)方形鋼化玻璃觀察窗、上軸(夾多晶棒)、下軸(安放籽晶)、導(dǎo)軌、機(jī)械傳送裝置、基座、高頻發(fā)生器和高頻加熱線圈、系統(tǒng)控制柜真空系統(tǒng)及氣體供給控制系統(tǒng)等組成。

注冊(cè)資金:800萬(wàn)元整
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