山東錳鋅磁環(huán)

東莞市磁豐電子有限公司是一家集設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體的綜合性企業(yè)。公司的主要產(chǎn)品是EMI抗干擾磁環(huán)(鐵氧體，磁芯，鐵粉芯，磁通），磁珠，磁棒，共模/差模電感，組裝式電感，貼片電感等。詳情致電圖片上的電話。

減小信號(hào)線間的交叉干擾：

　A點(diǎn)一個(gè)上升時(shí)間為T(mén)r的階躍信號(hào)通過(guò)引線AB傳向B端。信號(hào)在AB線上的延遲時(shí)間是Td。在D點(diǎn)，由于A點(diǎn)信號(hào)的向前傳輸，到達(dá)B點(diǎn)后的信號(hào)反射和AB線的延遲，T d

      時(shí)間以后會(huì)感應(yīng)出一個(gè)寬度為T(mén)r的頁(yè)脈沖信號(hào)。在C點(diǎn)，由于AB上信號(hào)的傳輸與反射，會(huì)感應(yīng)出一個(gè)寬度為信號(hào)在AB線上的延遲時(shí)間的兩倍，即2Td的正脈沖信號(hào)。這就是信號(hào)間的交叉干擾。干擾信號(hào)的強(qiáng)度與C點(diǎn)信號(hào)的di/at有關(guān)，與線間距離有關(guān)。當(dāng)兩信號(hào)線不是很長(zhǎng)時(shí)，AB上看到的實(shí)際是兩個(gè)脈沖的迭加。CMOS工藝制造的微控制由輸入阻抗高，噪聲高，噪聲容限也很高，數(shù)字電路是迭加100~200mv噪聲并不影響其工作。若圖中AB線是一模擬信號(hào)，這種干擾就變?yōu)椴荒苋萑?。如印刷線路板為四層板，其中有一層是大面積的地，或雙面板，信號(hào)線的反面是大面積的地時(shí)，這種信號(hào)間的交叉干擾就會(huì)變小。原因是，大面積的地減小了信號(hào)線的特性阻抗，信號(hào)在D端的反射大為減小。特性阻抗與信號(hào)線到地間的介質(zhì)的介電常數(shù)的平方成反比，與介質(zhì)厚度的自然對(duì)數(shù)成正比。若AB線為一模擬信號(hào)，要避免數(shù)字電路信號(hào)線CD對(duì)AB的干擾，AB線下方要有大面積的地，AB線到CD線的距離要大于AB線與地距離的2~3倍?？捎镁植康?，在有引結(jié)的一面引線左右兩側(cè)布以地線。

磁環(huán)的波形是不可見(jiàn)的，所以相對(duì)于識(shí)別來(lái)說(shuō)可能比較困難，我們通常會(huì)借助儀器，或利用初始數(shù)據(jù)來(lái)進(jìn)行計(jì)算，那么識(shí)別的方法是怎樣的呢？

1、假設(shè)藍(lán)色波形是上管線圈，流向是流出基極；

2、假設(shè)綠色波形是下管線圈，流向是流向基極；

3、電流向是流向燈管 　　

第1個(gè)拐點(diǎn)：上管開(kāi)始進(jìn)入導(dǎo)通，下管開(kāi)始退出導(dǎo)通，初級(jí)線圈電流逐步增大，裝配磁環(huán)導(dǎo)入陰極電流趨向反向最da 　

第二個(gè)拐點(diǎn)：上管進(jìn)入導(dǎo)通，下管進(jìn)入截止，初級(jí)線圈電流開(kāi)始正向增大，導(dǎo)入陰極電流已經(jīng)經(jīng)過(guò)反向最da值，開(kāi)始向正向最da過(guò)渡

第三個(gè)拐點(diǎn)：上管開(kāi)始退出導(dǎo)通，下管開(kāi)始進(jìn)入導(dǎo)通，初級(jí)線圈電流逐步增大，導(dǎo)入陰極電流趨向正向最da。 　　

東莞市磁豐電子有限公司

一個(gè)拐點(diǎn)：上管開(kāi)始進(jìn)入導(dǎo)通，下管開(kāi)始退出導(dǎo)通。初級(jí)線圈電流逐步增大，導(dǎo)入陰極電流趨向反向最a大。

第二個(gè)拐點(diǎn)：上管進(jìn)入導(dǎo)通，下管進(jìn)入截止。初級(jí)線圈電流開(kāi)始正向增大，導(dǎo)入陰極電流已經(jīng)經(jīng)過(guò)反向最a大值，開(kāi)始向正向最a大過(guò)渡。

第三個(gè)拐點(diǎn)：上管開(kāi)始退出導(dǎo)通，下管開(kāi)始進(jìn)入導(dǎo)通。初級(jí)線圈電流逐步增大，導(dǎo)入陰極電流趨向正向最a大。

　　注：次圈電流波形中的平滑段是兩管子交替導(dǎo)通的死區(qū)時(shí)間。實(shí)際情況下，兩個(gè)次圈的電流在電流流向定義相同時(shí)，波形應(yīng)該是互為反相的。