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振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公司長期購置:天價(jià)回收硅片,電池片,初中級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽電池,太陽能組件,太陽能光伏板,顧客撤離,退級(jí),庫存量,El,欠佳檢測,2手,舊,工程項(xiàng)目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,層壓板,無界限結(jié)晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗(yàn)板,負(fù)債,返修,太陽能發(fā)電控制模塊等。
外擴(kuò)散種類
1.穩(wěn)定源外擴(kuò)散:在穩(wěn)態(tài)外擴(kuò)散的標(biāo)準(zhǔn)下,企業(yè)*間內(nèi)根據(jù)垂直平分外擴(kuò)散方位的企業(yè)總面積的外擴(kuò)散品質(zhì)與該橫截面處的濃度梯度正比。
2.限制源外擴(kuò)散:在再遍布全過程中,外擴(kuò)散是在限制源的標(biāo)準(zhǔn)下進(jìn)有的,全部外擴(kuò)散全過程的殘?jiān)?,限制于外擴(kuò)散前積淀在硅片表層的*限薄層內(nèi)的殘?jiān)偖a(chǎn)量,沒有外地人殘?jiān)钛a(bǔ)即在硅片表層處的殘?jiān)飨鄬?duì)密度。
生產(chǎn)車間應(yīng)用的是二步外擴(kuò)散:預(yù)淀積外擴(kuò)散。預(yù)擴(kuò)散是穩(wěn)定源外擴(kuò)散,關(guān)鍵是促使硅片表層汽體濃度值相同,維持整批方塊電阻是勻稱性。主外擴(kuò)散是限制源外擴(kuò)散,而且在主外擴(kuò)散后進(jìn)入大氮汽體,做為推動(dòng)汽體,增加PN結(jié)深度。

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一14、漏漿
A級(jí): 漏漿單獨(dú)總面積低于0.5*0.5mm,總數(shù)低于3個(gè)
B級(jí):跑模單獨(dú)總面積低于1。0*1.0mm總數(shù)不分
C級(jí):跑模單獨(dú)總面積低于1。0*2。0mm總數(shù)不分
缺點(diǎn)/報(bào)廢片:
超過C級(jí)片的規(guī)定為缺點(diǎn)片,超過缺點(diǎn)片規(guī)定的為報(bào)費(fèi)片。
注:(1)在一切正常包裝印刷圖型處時(shí),依照“包裝印刷圖型”要求分辨,沒有包裝印刷圖型處時(shí)依照以上要求辨別。
(2)跑模在背靜電場或背電級(jí)時(shí),依據(jù)鋁苞要求分辨
(3)跑模在側(cè)邊時(shí),假如影象電池片電氣性能和外型時(shí),則返修后再次歸類檢驗(yàn),隨后再次判斷,假如不危害電池片電氣性能和外型的時(shí)候一切正常排出
(4)硅晶掉下來按跑??偯娣e判斷新的規(guī)范:與舊的規(guī)范同樣側(cè)邊漏漿片做打磨拋光片解決打磨拋光片處理過程非鋁苞片:一概出口(不 Rsh≥6)零頭和滿包全入出口貨位備注名稱:DM選用黃標(biāo)識(shí)鋁苞片:暫未作自購片待產(chǎn)品研發(fā)作部件實(shí)驗(yàn)( Rsh≥6)零頭入鋁苞零頭貨位滿包入鋁苞滿包貨位備注名稱:DM LB選用白標(biāo)識(shí)

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九、崩邊、豁口、掉角
充電電池邊沿崩邊喝豁口
A級(jí):其長短≤3mm,深度1≤0.5mm,總數(shù)≤2處
B級(jí):其長短≤5mm,深度1≤1.0mm,總數(shù)≤3處
四邊豁口
A級(jí):規(guī)格≤1.5*1.5mm,總數(shù)≤1處
B級(jí):規(guī)格≤2.0*2.0mm,總數(shù)≤1處
注:多晶硅A級(jí)和B級(jí)均不容許有三邊形豁口和銳利行豁口,左右豁口都不能過電級(jí)(主柵線,副柵線)
超出B級(jí)范疇
多晶硅電池片超出了B級(jí)范疇,就立即做為缺點(diǎn)片。
多晶電池片超出了B級(jí)范疇,如合乎C級(jí)需切角片的規(guī)定,能作C級(jí)需切角片多
經(jīng)容許邊緣有豁口(包含三邊形豁口和銳利行豁口),對(duì)邊緣豁口聽規(guī)定給出
125任意邊緣破損≤18*18mm
150任意邊緣破損≤8*8mm
156任意邊緣破損≤14*14mm注:多晶電池片超過了C級(jí)片的規(guī)定,做為缺點(diǎn)片。粉碎,無運(yùn)用使用價(jià)值的做為報(bào)費(fèi)片新的規(guī)范與舊的同樣。


注冊(cè)資金:50萬
聯(lián)系人:孟先生
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企業(yè)地址:江蘇 吳中區(qū)