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硅錠生長需要大塊的純凈多晶硅,將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中,這稱為摻雜。加入的摻雜劑使那些長大的硅錠表現(xiàn)出所需要的電特性。最普通的摻雜劑是硼、磷、和銻。摩爾定律是由英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾(GordonMoore)于1965年提出來的,它指出:當(dāng)價格不變時,集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每隔18個月便會翻一番,性能也將提升一倍。因使用的摻雜劑不同,會成為一個P型或N型的硅錠(P型/硼,N型/磷、銻、)。
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顆粒在沒有控制的大氣環(huán)境下肉眼是不可見的。例如起居室或辦公室中顆粒的數(shù)目大致在每立方米五百萬個。為了保持潔凈水平,生產(chǎn)工人必須穿能蓋住全身且不吸引和攜帶顆粒的潔凈服。
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斯坦福大學(xué)所展示的這一技術(shù)進步則標(biāo)志著完整的工作電路已被創(chuàng)造出來,表明這種材料可能真的會達到人們的期望。
硅是一種普遍存在的自然元素,既可當(dāng)做導(dǎo)體,也可當(dāng)做絕緣體。硅芯片的生命周期相較計算機工程師原本的設(shè)想已經(jīng)長了數(shù)十年,這是因為雖然晶體管的尺寸在一代代變小,但人們總有相應(yīng)的工藝在上面蝕刻電路。
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