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真空鍍膜技術(shù)的應(yīng)用時(shí)較早的。20世紀(jì)初大發(fā)明家愛迪生就提出了唱片蠟?zāi)げ捎藐帢O濺射進(jìn)行表面金屬化的工藝方法，納米鍍膜，并于1903年申報(bào)了，這便是薄膜技術(shù)在工業(yè)上應(yīng)用的開始。但是這一技術(shù)在當(dāng)時(shí)因受到真空技術(shù)和其他相關(guān)技術(shù)發(fā)展的限制，發(fā)展速度較慢。直到二次期間，德國使這一技術(shù)服務(wù)于，制備各種光學(xué)鏡片和反光鏡，從而首先使用這一技術(shù)在光學(xué)工業(yè)中得到了迅速的發(fā)展。并且逐漸形成了薄膜光學(xué)，成為光學(xué)的一個(gè)重要分支。真空鍍膜技術(shù)在電子方面開始是用來制造電阻和電容元件，派瑞林納米鍍膜，之后隨著半導(dǎo)體技術(shù)在電機(jī)學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用，又使這一技術(shù)成為晶體管制造和集成電路生產(chǎn)的必要工藝手段。近年來，隨著集成電路向大規(guī)模和超大規(guī)模集成方向發(fā)展，從而又對真空鍍膜技術(shù)提出了新的要求。因而在電機(jī)學(xué)領(lǐng)域中又產(chǎn)生了一個(gè)新的分支—薄膜微電子學(xué)。

      在真空條件下成膜有很多優(yōu)點(diǎn)：可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞，納米鍍膜公司，減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量，從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內(nèi)壓力等于或低于10-2Pa，對于蒸發(fā)源與基板距離較遠(yuǎn)和薄膜質(zhì)量要求很高的場合，則要求壓力更低。

真空鍍膜技術(shù)在其他科學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用亦很廣泛。例如，納米鍍膜加工，電子顯微鏡的標(biāo)本必須經(jīng)過真空鍍膜處理才能觀察；激光器需要鍍上精密控制的光學(xué)膜層才能使用；太陽能利用也與真空鍍膜技術(shù)息息相關(guān)。目前，幾乎任何材料都可以通過真空鍍膜工藝涂覆到其他材料的表面上，這為真空鍍膜技術(shù)在各種工業(yè)領(lǐng)域中的應(yīng)用開辟了更加廣闊的前景。用真空鍍膜技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的電鍍工藝，不但能節(jié)省大量的膜材和降低能耗，而且還會濕法鍍膜中所產(chǎn)生的環(huán)境污染。


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