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在真空條件下成膜有很多優(yōu)點:可減少蒸發(fā)材料的原子、分子在飛向基板過程中于分子的碰撞,減少氣體中的活性分子和蒸發(fā)源材料間的化學(xué)反應(yīng)(如氧化等),以及減少成膜過程中氣體分子進(jìn)入薄膜中成為雜質(zhì)的量,CVD鍍膜加工,從而提供膜層的致密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。
蒸發(fā)物質(zhì)如金屬、化合物等置于坩堝內(nèi)或掛在熱絲上作為蒸發(fā)源,待鍍工件,如金屬、陶瓷、塑料等基片置于坩堝前方。待系統(tǒng)抽至高真空后,CVD鍍膜,加熱坩堝使其中的物質(zhì)蒸發(fā)。蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數(shù)百埃至數(shù)微米。膜厚決定于蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率和時間(或決定于裝料量),并與源和基片的距離有關(guān)。對于大面積鍍膜,常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。
一般金屬都具有較大的消光系數(shù)。當(dāng)光束由空氣入射到金屬表面時,進(jìn)入金屬內(nèi)的光振幅迅速衰減,使得進(jìn)入金屬內(nèi)部的光能相應(yīng)減少,而反射光能增加。消光系數(shù)越大,光振幅衰減越迅速,CVD鍍膜,進(jìn)入金屬內(nèi)部的光能越少,反射率越高。人們總是選擇消光系數(shù)較大,光學(xué)性質(zhì)較穩(wěn)定的金屬作為金屬膜材料。在紫外區(qū)常用的金屬薄材料是鋁,在可見光區(qū)常用鋁和銀,在紅外區(qū)常用金、銀和銅,此外,鉻和鉑也常作一些特種薄膜的膜料。由于鋁、銀、銅等材料在空氣中很容易氧化而降低性能,所以必須用電介質(zhì)膜加以保護(hù)。常用的保護(hù)膜材料有一氧化硅、氟化鎂、二氧化硅、三氧化二鋁等。
金屬反射膜的優(yōu)點是制備工藝簡單,工作的波長范圍寬;缺點是光損大,CVD鍍膜公司,反射率不可能很高。為了使金屬反射膜的反射率進(jìn)一步提高,可以在膜的外側(cè)加鍍幾層一定厚度的電介質(zhì)層,組成金屬電介質(zhì)反射膜。需要指出的是,金屬電介質(zhì)射膜增加了某一波長(或者某一波區(qū))的反射率,卻破壞了金屬膜中性反射的特點。
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