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刻蝕過程
普通的刻蝕過程大致如下:先在表面涂敷一層光致抗蝕劑,然后透過掩模對(duì)抗蝕劑層進(jìn)行選擇性曝光,由于抗蝕劑層的已曝光部分和未曝光部分在顯影液中溶解速度不同,經(jīng)過顯影后在襯底表面留下了抗蝕劑圖形,以此為掩模就可對(duì)襯底表面進(jìn)行選擇性腐蝕。如果襯底表面存在介質(zhì)或金屬層,則選擇腐蝕以后,圖形就轉(zhuǎn)移到介質(zhì)或金屬層上。
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離子束刻蝕機(jī)
石英晶體諧振器制作
石英晶體的諧振頻率與其厚度有關(guān)。用機(jī)械研磨和拋光致薄的晶體,大樣片離子束刻蝕機(jī),可制作低頻器件,但頻率超過20MHz時(shí),大樣片離子束刻蝕機(jī)價(jià)格, 上述工藝已不適用因?yàn)闃O薄的晶片已不能承受機(jī)械應(yīng)力。采用離子束拋光,可以不受此限制。石英晶體諧振器的金屬引線要求重量輕、低電阻,通常用鋁沉積在晶體表面溝槽中,大樣片離子束刻蝕機(jī)工作原理,以高電導(dǎo)率鋁作引線電極。用離子束濺射加工晶體_上的溝槽是有效的方法。


刻蝕工藝過程
以下內(nèi)容由創(chuàng)世威納為您提供,今天我們來分享刻蝕工藝過程的相關(guān)內(nèi)容,大樣片離子束刻蝕機(jī)廠家,希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助!
等離子體刻蝕工藝包括以下六個(gè)步驟。 分離: 氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的元素; 擴(kuò)散: 這些元素?cái)U(kuò)散并吸附到硅片表面; 表面擴(kuò)散:到達(dá)表面后, 四處移動(dòng); 反應(yīng): 與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng); 解吸: 反應(yīng)的生成物解吸, 離開硅片表面; 排放: 排放出反應(yīng)腔。



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