離子鍍時,蒸發(fā)料粒子是以帶電離子的形式在電場中沿著電力線方向運動,因而凡是有電場存在的部位,均能獲得良好鍍層,這比普通真空鍍膜只能在直射方向上獲得鍍層優(yōu)越得多。因此,這種方法非常適合于鍍復零件上的內孔、凹槽和窄縫。等其他方法難鍍的部位。用普通真空鍍膜只能鍍直射表面,蒸發(fā)料粒子尤如攀登云梯一樣,只能順梯而上;而離子鍍則能均勻地繞鍍到零件的背面和內孔中,帶電離子則好比坐上了直升飛機,能夠沿著規(guī)定的航線飛抵其活動半徑范圍內的任何地方。
基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.
b、壓強的大小. 為了保證膜層質量,壓強應盡可能低Pr≦(Pa)
L表示蒸發(fā)源到基片的距離為L(cm)。
c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時,沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子,因而形成的膜層結構疏松,顆粒粗大,缺陷多;反之,膜層結構均勻致密,機械強度高,膜層內應力大.
d、基片的溫度.在通常情況下,基片溫度高時,吸附原子的動能隨之增大,形成的薄膜容易結晶化,并使晶格缺陷減少;基片溫度低時,則沒有足夠大的能量供給吸附原子,因而容易形成無定形態(tài)薄膜.

較為成熟的 PVD 方法主要有多弧鍍與磁控濺射鍍兩種方式。多弧鍍設備結構簡單,表面不銹鋼鍍鈦哪家好,容易操作。它的離子蒸發(fā)源靠電焊機電源供電即可工作,其引弧的過程也與電焊類似,具體地說,在一定工藝氣壓下,引弧針與蒸發(fā)離子源短暫接觸,斷開,使氣體放電。由于多弧鍍的成因主要是借助于不斷移動的弧斑,在蒸發(fā)源表面上連續(xù)形成熔池,使金屬蒸發(fā)后,沉積在基體上而得到薄膜層的,與磁控濺射相比,它不但有靶材利用率高,更具有金屬離子離化率高,薄膜與基體之間結合力強的優(yōu)點。
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