中諾新材(圖)-高純鉑塊 鉑絲 鉑片 鉑靶材-高純鉑

高純的單晶硅是重要的半導體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導體;摻入微量的第VA族元素，形成n型半導體。p型半導體和n型半導體結(jié)合在一起形成p-n結(jié)，就可做成太陽能電池，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。中諾新材分析測試設(shè)備——X射線衍射儀Rigaku靶材晶向比例分析系統(tǒng)（XRD）可直接用于檢測直徑在500mm以下的固體金屬材料的內(nèi)部織構(gòu)。在開發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。另外廣泛應(yīng)用的二極管、三極管、晶閘管、場效應(yīng)管和各種集成電路(包括人們計算機內(nèi)的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。

隨著材料行業(yè)的快速發(fā)展，新型合金材料潛力巨大。高溫合金，高純鉑塊 鉑絲 鉑片 鉑靶材，高熵合金，非晶合金等各種特殊要求合金對熔煉原料的要求越來越高。中諾新材采用高純化合物粉末為原料，通過常壓燒結(jié)法、真空熱壓法以及熱等靜壓法等工藝成型，經(jīng)過精密的機械加工工藝，制得晶粒細小、組織均勻、致密度高的陶瓷化合物靶材，被廣泛應(yīng)用于太陽能光伏、平面顯示、玻璃鍍膜等領(lǐng)域。中諾新材可根據(jù)客戶不同爐體坩堝對投料數(shù)量的要求，定制加工各種高純度，不同規(guī)格的金屬原料。

分類——常規(guī)規(guī)格——適用范圍

標準顆?！?*5mmφ3*3mmφ6*6mm 10*10*2mm——投料量小，高純鉑靶定制生產(chǎn)，純度要求高，實驗用高純鉑靶材 鉑顆粒，配比要求準確

破碎小塊——1-10mm 2-6mm 3-5mm——投料量小，高純鉑，純度要求較高，配比要求準

切割大塊——1-3cm  3-5cm  ＜10cm——投料量大，純度要求高

批量塊錠——25kg/桶  100kg/件——投料量大，純度要求不高，可獨立加工處理

以鎳為基加入其他合金元素組成的重有色金屬材料。為了進一步提高鎳的物理性能和化學性能，滿足科學技術(shù)和工業(yè)發(fā)展的要求，需在鎳中添加適量的合金元素。

屬于重有色金屬材料的鎳合金主要有電真空用鎳合金、熱電偶用鎳合金、蒙乃爾合金、鎳鈹合金和合成金剛石用鎳基觸媒合金等。

鎳合金的鑄錠或鑄件主要采用真空熔鑄法生產(chǎn)。鑄錠首先經(jīng)熱軋、擠壓或鍛造開坯、經(jīng)中間熱處理后再進行軋制或拉伸，后加工成所需的成品。有些鎳基高溫合金直接使用鑄件或采用粉末冶金方法制成所需的零件使用。

鎳合金主要用于電子、化工、機械、能源開發(fā)和航海、航空及航天等部門。