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微弧氧化
微弧氧化又稱等離子體電解氧化、微等離子體氧化等,微弧氧化技術(shù)研究,是通過電解液與相應(yīng)電參數(shù)的組合,在鋁、鎂、鈦等金屬及其合金表面依靠弧光放電產(chǎn)生的瞬時高溫高壓作用,微弧氧化技術(shù)服務(wù),原位生長出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。在微弧氧化過程中,化學(xué)氧化、電化學(xué)氧化、等離子體氧化同時存在,因此陶瓷層的形成過程非常復(fù)雜,至今還沒有一個合理的模型能完全描述陶瓷層的形成。






影響微弧氧化的因素
1、微弧氧化時間的影響:微弧氧化時間一般控制在10~60min。氧化時間越長,膜的致密性越好,但其粗糙度也增加。
2、陰極材料:微弧氧化的陰極材料采用不溶性金屬材料。由于微弧氧化電解液多為堿性液,故陰極材料可采用碳鋼,不銹鋼或鎳。其方式可采用懸掛或以上述材料制作的電解槽作為陰極。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)

微弧氧化,微弧氧化技術(shù),是在電解質(zhì)溶液中(一般是弱堿性溶液)施加高電壓(直流、交流或脈沖)在材料表面原位生長陶瓷氧化膜的過程,該過程是物理放電與電化學(xué)氧化、等離子體氧化協(xié)同作用的結(jié)果。微弧氧化技術(shù)是在普通陽極氧化技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,低電壓微弧氧化技術(shù),進一步提高電壓,使電壓超出法拉第區(qū),達到氧化膜的擊穿電壓,就會在陽極出現(xiàn)火花放電現(xiàn)象,在材料表面形成陶瓷氧化膜,使等離子體氧化膜既有陶瓷膜的,又保持了陽極氧化膜與基體的結(jié)合力。


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