電解電容器-電解電容-新晨陽(yáng)

  兩個(gè)電解電容串聯(lián)如果不加適當(dāng)?shù)钠秒妷喝匀徊恍小?/p>

  加偏置電壓則相當(dāng)復(fù)雜，尤其是該電容（兩個(gè)串聯(lián)）兩端均不接地的情況（偏置電壓必須浮動(dòng)）。

   考慮到加偏置電壓的復(fù)雜性，不如不用這個(gè)方法：將兩只電容負(fù)級(jí)相連，在兩只電容上并上大電流二級(jí)管，二級(jí)管正接電容負(fù)，二級(jí)管負(fù)接電容正。

   并聯(lián)當(dāng)然還是有極性的，如果反并聯(lián)的話，是無(wú)極性的了，不過(guò)是不能用的無(wú)極性。

    如果反向串聯(lián)，也不可取，如果你去做下試驗(yàn)，電解電容，會(huì)發(fā)現(xiàn)必定有一個(gè)電容承受反壓，如果電壓較大就會(huì)炸掉，除非你加特別的措施，總是讓電壓加在承受正壓的電容上。

1.等效串聯(lián)電阻——也就是ESR。ESR的高低與電容器技術(shù)、電容器的容量、電壓、頻率、溫度等因素都有關(guān)，ESR值要求越低越好。當(dāng)額定電壓是固定的值時(shí)，容量越大ESR值越愈低。當(dāng)容

量是固定的值時(shí)，選用額定電壓高的可以降低 ESR。低頻時(shí)ESR高，高頻時(shí)ESR低，高溫也會(huì)使ESR上升。等效串聯(lián)電阻ESR一般可以從產(chǎn)品規(guī)格說(shuō)明書上查到。

2. 漏電流，電解電容封裝，物理結(jié)構(gòu)決定了鋁電解電容漏電的情況。漏電流當(dāng)然是越小越好。電容器容量和電壓越高，漏電流就越大；降低工作電壓可降低漏電流。相同條件下優(yōu)先選擇高耐壓品種的確是一個(gè)簡(jiǎn)便可行的好方法，降低內(nèi)阻、漏電流、降低損失角會(huì)增加電解電容的壽命。但是參數(shù)好價(jià)格就會(huì)高一些。有一個(gè)簡(jiǎn)單的方法可以對(duì)電解電容的漏電流大體上估計(jì)一下。把相同容量的電解電容按照額定承受電壓進(jìn)行充電，放置一段時(shí)間后再檢測(cè)電容器兩端的電壓下降程度。下降電壓越少的漏電流就越小?！　?/p>

3.標(biāo)稱參數(shù)——電容器外殼上所列出的數(shù)值?！办o電容量”，用UF表示?！肮ぷ麟妷骸焙?jiǎn)稱WV應(yīng)為標(biāo)稱安全值，也就是說(shuō)應(yīng)用電路中不得超過(guò)此標(biāo)稱電壓?！皽囟取背Ｒ姷拇蠖酁?5℃、105℃。高溫條件下要105℃標(biāo)稱的。一般情況下高溫度系數(shù)的對(duì)于改善其他參數(shù)性能也有積極的幫助?！　?/p>

4.散逸因數(shù)——有時(shí)DF值也用損失角tan表示。DF值是高還是低，與溫度、容量、電壓、頻率等參數(shù)都有關(guān)。當(dāng)容量相同時(shí)，電解電容壽命，耐壓越高的DF值就越低。頻率和溫度越高DF值也越高。DF 值一般不標(biāo)注在電容器上或規(guī)格介紹上。在選取電容時(shí)可優(yōu)先考慮選取更高耐壓的，比如工作電壓為45V時(shí)，選用50V的就不很合理。盡管使用 50V的從承受電壓正常工作方 面并無(wú)不妥，但從DF值方面考慮就欠缺一些。使用63V或71V耐壓的會(huì)有更好的表現(xiàn)的。