泰瑞達(dá)儀器-直讀光譜儀

1、氣的電離電位較低，作為工作氣可降低分析間隙的擊穿電壓。在1個大氣壓下，均勻電場中空氣氣氛中的分析間隙擊穿電壓為3000V/mm，氣氣氛中為1000V/mm，擊穿電壓越低有利于獲得較穩(wěn)定的特征光譜強(qiáng)度。
       2、氣是原子狀態(tài)的氣體，而空氣（氮、氧）是分子狀態(tài)；它們經(jīng)激發(fā)后，原子所產(chǎn)生的激發(fā)光譜比空氣（氮、氧）的激發(fā)光譜（分子光譜帶）的光譜要簡單，其連續(xù)背景要低很多。
       3、氣作為保護(hù)氣，在激發(fā)過程中，不會與樣品金屬蒸氣形成其他化合物，可防止分析樣品和電極被空氣氧化、氮化或膨脹。空氣是由氮氣和氧氣組成，直讀光譜儀，在高溫下，分析樣品和電極可被氧化生成氧化物，直讀光譜儀，或者氮化生成氮化物，而氧化物和氮化物不具有導(dǎo)電性，可導(dǎo)致分析樣品激發(fā)停止，中斷工作。氣是惰性氣體，在高溫下不和任何金屬發(fā)生反應(yīng)，它的使用將有效杜絕金屬的氧化和氮化。
       4、氣可以傳輸真空紫外光譜（200nm以下），可杜絕紫外區(qū)的特征光譜被吸收。吹的主要作用是試樣激發(fā)時趕走火花室內(nèi)的空氣，減小空氣對紫外光區(qū)譜線的吸收。主要是因為空氣中的氧氣、水蒸氣在遠(yuǎn)紫外區(qū)具有強(qiáng)烈的吸收帶，對分析結(jié)果造成很大的影響，且不利于激發(fā)穩(wěn)定，形成或加強(qiáng)擴(kuò)散放電，激發(fā)時產(chǎn)生白點。
       5、氣可帶走樣品激發(fā)時產(chǎn)生的熱量和粉塵并記憶效應(yīng)，并凈化了分析環(huán)境。在高壓氣體氣氛中的氣體具有流動性，氣體的流動不但可以帶走多余的熱量，還可以帶走大量的粉塵。而溫度太高可使樣品或電極發(fā)生膨脹導(dǎo)致分析間歇的極距發(fā)生變化；粉塵的存在可使分析過程具有記憶效應(yīng)或者影響光譜光路，不管是那種情況，都會影響分析結(jié)果的準(zhǔn)確度。

（1）高靈敏度：科研級CMOS由于近的高像元填充率而擁有用于高光譜成像系統(tǒng)的靈敏度優(yōu)勢，靈敏度好，應(yīng)用于直讀光譜儀，各常見金屬分析檢測元素元素檢出限均可到0.01~10 ppm； 

（3）高阻抗：CMOS在電路設(shè)計上集成度更高，將A/D轉(zhuǎn)換器集成于芯片內(nèi)部，直接數(shù)字信號輸出，大大降低了外圍電路的復(fù)雜度，降低了整個電路的功耗；CMOS的APS效率比較高，由于采用了新的消噪技術(shù)，輸出圖形信號質(zhì)量比以前有許多提高，讀出噪聲一般為14~100個電子。耗電小，背景小，噪音小，這些都大大提高了光譜儀分析低含量元素的重復(fù)性； 

（4）數(shù)據(jù)傳輸速度快：從CMOS內(nèi)部結(jié)構(gòu)可以看出，CMOS的光電探測和輸出放大器是在像素內(nèi)部，因此它可以很靈活地將信號讀出，而且CMOS光電傳感器采集光信號的同時就可以取出電信號，還能同時處理各單元的圖像信息，所以CMOS數(shù)據(jù)傳輸速度比CCD電荷耦合器快很多。

（5）成本低：科研級CMOS也是面測量，可進(jìn)行全譜掃描與分析，不需要像PMT那樣一個通道必須配置一根管，成本較低； 科研級CMOS與光譜儀的結(jié)合，直讀光譜儀廠家，是與質(zhì)量的結(jié)合，二者相得益彰，珠聯(lián)璧合。、高性價比的CMOS直讀光譜儀是時代進(jìn)步的產(chǎn)物，是市場需求的產(chǎn)物，是直讀光譜儀行業(yè)發(fā)展的必然趨勢。

6.粉塵要求：小于500個質(zhì)點/千升。