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常規(guī)貼片電容-上海提隆(在線咨詢)-電容

常規(guī)貼片電容-上海提隆(在線咨詢)-電容

1kv貼片電容廠家

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電容

      電容(或電容量, Capacitance)指的是在給定電位差下的電荷儲藏量;記為C,國際單位是法拉(F)。一般來說,電荷在電場中會受力而移動,當(dāng)導(dǎo)體之間有了介質(zhì),則阻礙了電荷移動而使得電荷累積在導(dǎo)體上;造成電荷的累積儲存,常見的例子就是兩片平行金屬板。也是電容器的俗稱。

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電容

貼片電容可分為無極性和有極性兩種,三星貼片電容,容值范圍從0.22pF-100uF

無極性電容下述兩類封裝為常見,即0805、0603;

一般容值越小,耐壓值可做到越大,常見耐壓有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、 4000V

有極性電容以鉭電容為多,根據(jù)其耐壓不同,貼片電容又可分為A、B、C、D四個(gè)系列,具體如下:

類型 封裝形式 耐壓

A 3216 10V

B 3528 16V

C 6032 25V

D 7343 35V

常用電容的標(biāo)識精度級別

B+_0.1%

C+_0.25%

D+_0.5%

F+_1%

G+_2%

J+_%

K+_10%

M+_20%

N+_30%

各種貼片電容的特性

帖片電容的材料常規(guī)分為三種,常規(guī)貼片電容,NPO,X7R,X5R,Y5V,鉭電容

NPO 此種材質(zhì)電性能穩(wěn)定,幾乎不隨溫度,電壓和時(shí)間的變化而變化,適用于低損耗,1KV貼片電容,穩(wěn)定性要求要的高頻電路。容量精度在5%左右,但選用這種材質(zhì)只能做容量較小的,常規(guī)100PF 以下,電容,100PF至 1000PF 也能生產(chǎn)但價(jià)格較高 。

X7R 此種材質(zhì)比NPO 穩(wěn)定性差,但容量做的比NPO 的材料要高,耐壓高,容量精度在10%左右,電容量一般在100pF~2.2F之間。

Y5V 此類介質(zhì)的電容,其穩(wěn)定性較差,容量偏差在20%左右,對溫度電壓較敏感,但這種材質(zhì)能做到很高的容量,而且價(jià)格較低,適用于溫度變化不大的電路中。電容量范圍較大,一般為1000pF~100F。

X5R容量小,體積小,適用于計(jì)算機(jī)、電源和汽車電路中退耦、輸出濾波等應(yīng)用。

鉭電容 體積小、容量大、漏電流低、使用壽命長、綜合性能優(yōu)異,是you秀的電容器,不僅在常規(guī)條件下比陶瓷、鋁、薄膜等其它電容器體積小、容量高、功能穩(wěn)定,而且能在許多為其它電容器所不能勝任的嚴(yán)峻條件下正常工作。廣泛用于高頻濾波像HI-FI系統(tǒng)。


1、電容的表示

電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C223表示編號為223的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件。

電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號的頻率和電容量有關(guān)。


2、識別方法

電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同,分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示,其它單位還有:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。

其中:1法拉=103毫法=106微法=109納法=1012皮法容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明,如10uF/16V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示。

字母表示法:1m=1000uF1P2=1.2PF1n=1000PF

數(shù)字表示法:一般用三位數(shù)字表示容量大小,前兩位表示有效數(shù)字,第三位數(shù)字是倍率。

如:102表示10&TImes;102PF=1000PF224表示22&TImes;104PF=0.22uF

3、電容容量誤差及特性

如:一瓷片電容為104J表示容量為0.1uF、誤差為±5%。

貼片電容還分NPO、X7R、Z5U和Y5V,主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。

NPO是一種比較常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。

NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到 125℃時(shí)容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3ΔC。NPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。NPO電容器隨封裝形式不同其電容量和介質(zhì)損耗隨頻率變化的特性也不同,大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。

封 裝 DC=50V DC=100V

0805 0.5---1000pF 0.5---820pF

1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF

1210 560---5600pF 560---2700pF

2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μF

NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容,以及高頻電路中的耦合電容。

X7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當(dāng)溫度在-55℃到 125℃時(shí)其容量變化為15%,需要注意的是此時(shí)電容器容量變化是非線性的。

X7R電容器的容量在不同的電壓和頻率條件下是不同的,它也隨時(shí)間的變化而變化,大約每10年變化1%ΔC,表現(xiàn)為10年變化了約5%。

X7R電容器主要應(yīng)用于要求不高的工業(yè)應(yīng)用,而且當(dāng)電壓變化時(shí)其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點(diǎn)是在相同的體積下電容量可以做的比較大。

Z5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍,對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容起來說在相同的體積下Z5U電容器有da的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大,它的老化率da可達(dá)每10年下降5%。

盡管它的容量不穩(wěn)定,由于它具有小體積、等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)低、良好的頻率響應(yīng),使其具有廣泛的應(yīng)用范圍。尤其是在退耦電路的應(yīng)用中。

封 裝 DC=25V DC=50V

0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF

1206 0.01μF---0.33μF 0.01μF---0.27μF

1210 0.01μF---0.68μF 0.01μF---0.47μF

2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF







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