二手單晶硅擇優(yōu)推薦

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四、 鋁珠：

鋁珠產(chǎn)生的根本原因是過燒，鋁的熔點(diǎn)是660℃，當(dāng)鋁受熱超過這一溫度時(shí)，鋁顆粒熔化形成了鋁珠。通常，燒結(jié)爐的設(shè)置溫度都遠(yuǎn)高于這一溫度，這里所說的660℃是指電池片表面實(shí)際感受的溫度，設(shè)置的溫度雖高，由于燒結(jié)爐帶速很快，鋁層實(shí)際感受到的溫度是遠(yuǎn)低于設(shè)置溫度的。

解決這一問題的辦法是降下燒結(jié)區(qū)溫度，或是加快燒結(jié)爐的帶速，減少熱量的給予。此法效果非常明顯，鋁珠可得到有效控制。另一方面過分降溫會(huì)損失電池片的電性能數(shù)據(jù)，那么降到什么程度呢，我們的經(jīng)驗(yàn)是，降溫到電池片背面手感略微粗糙即可。

五、 鋁刺：

1、 背場印刷表面不均勻:檢查刮條的平整度；

2、 燒結(jié)網(wǎng)帶不潔凈：清洗網(wǎng)帶或?qū)ν鼛нM(jìn)行打磨；

3、 燒結(jié)網(wǎng)帶抖動(dòng)嚴(yán)重：由設(shè)備人員來調(diào)整網(wǎng)帶；

4、 燒結(jié)溫度過高：不影響電性能的情況下降下燒結(jié)溫度；

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影響因素

1 ．頻率

射頻 PECVD 系統(tǒng)大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率（ >4MHz ）沉積的氮化硅薄膜具有更好的鈍化效果和穩(wěn)定性。

2 ．射頻功率

增加 RF 功率通常會(huì)改善 SiN 膜的質(zhì)量。但是，功率密度不宜過大，超過 1W/cm2 時(shí)器件會(huì)造成嚴(yán)重的射頻損傷。

3 ．襯底溫度

PECVD 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能保證氮化硅薄膜在HF 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有良好的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應(yīng)力很大且為張應(yīng)力，而溫度高于 450 ℃ 時(shí)膜容易龜裂。

4 ．氣體流量

影響氮化硅膜沉積速率的主要?dú)怏w是 SiH4 。為了防止富硅膜，選擇NH3/SiH4=2~20 （體積比）。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應(yīng)區(qū)下游反應(yīng)氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以保證沉積的均勻性。

5 ．反應(yīng)氣體濃度

SiH4 的百分比濃度及 SiH4/NH3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質(zhì)均有重大影響。

理想 Si3N4 的 Si/N ＝ 0.75 ，而 PECVD 沉積的氮化硅的化學(xué)計(jì)量比會(huì)隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 SiN 。因此，必須控制氣體中的 SiH4 濃度，不宜過高，并采用較高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外， PECVD 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。

6 ．反應(yīng)壓力、和反應(yīng)室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數(shù)。

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外擴(kuò)散種類?

1.穩(wěn)定源外擴(kuò)散：在穩(wěn)態(tài)外擴(kuò)散的標(biāo)準(zhǔn)下，企業(yè)*間內(nèi)根據(jù)垂直平分外擴(kuò)散方位的企業(yè)總面積的外擴(kuò)散品質(zhì)與該橫截面處的濃度梯度正比。?

2.限制源外擴(kuò)散：在再遍布全過程中，外擴(kuò)散是在限制源的標(biāo)準(zhǔn)下進(jìn)有的，全部外擴(kuò)散全過程的殘?jiān)?，限制于外擴(kuò)散前積淀在硅片表層的*限薄層內(nèi)的殘?jiān)偖a(chǎn)量，沒有外地人殘?jiān)钛a(bǔ)即在硅片表層處的殘?jiān)飨鄬γ芏取?

生產(chǎn)車間應(yīng)用的是二步外擴(kuò)散：預(yù)淀積外擴(kuò)散。預(yù)擴(kuò)散是穩(wěn)定源外擴(kuò)散，關(guān)鍵是促使硅片表層汽體濃度值相同，維持整批方塊電阻是勻稱性。主外擴(kuò)散是限制源外擴(kuò)散，而且在主外擴(kuò)散后進(jìn)入大氮汽體，做為推動(dòng)汽體，增加PN結(jié)深度。