dsp aic23芯片 數(shù)字錄音-電流驅(qū)動(dòng)電子驅(qū)動(dòng)ic

接口的強(qiáng)大功能：一是簡(jiǎn)化模塊之間的連接；二是實(shí)現(xiàn)類和模塊之間的通信?？梢哉f接口的功能固然強(qiáng)大，但是問題又來了：

首先，因?yàn)槭聞?wù)交易處理器中的方法采用了層次化應(yīng)用的方式去訪問對(duì)應(yīng)端口的信號(hào)，所以我們只能為兩個(gè)相同功能的接口分別編寫兩個(gè)幾乎一樣的事務(wù)交易處理器，為什么呢？因?yàn)椴捎玫氖菍哟位膽?yīng)用，假如設(shè)計(jì)中的某個(gè)引腳名字需要修改，我們只能修改驅(qū)動(dòng)這個(gè)端口的方法！這樣還是有點(diǎn)繁瑣，那么sv中有了虛接口的概念，事情就會(huì)變得更加簡(jiǎn)單了！

到底是如何操作的呢？

虛接口和對(duì)應(yīng)的通用方法可以把設(shè)計(jì)和驗(yàn)證平臺(tái)分隔開來，保證其不受設(shè)計(jì)改動(dòng)的影響。當(dāng)我們對(duì)一個(gè)設(shè)計(jì)的引腳名字進(jìn)行改動(dòng)的時(shí)候，我們無(wú)須改動(dòng)驅(qū)動(dòng)這個(gè)接口的方法，數(shù)字芯片，而是只需要在例化該事務(wù)交易處理器的時(shí)候，給虛接口綁定對(duì)應(yīng)連接的實(shí)體接口即可。以此來實(shí)現(xiàn)事務(wù)交易處理器的更大重用性。

虛接口的定義：

virtual interface_type variable;

虛接口可以定義為類的一個(gè)成員，可以通過構(gòu)造函數(shù)的參數(shù)或者過程進(jìn)行初始化。

虛接口應(yīng)用的具體步驟：

到此，我們就可以在事務(wù)交易處理器中，編寫針對(duì)該接口的通用方法（如request和wait_for_bus），只要針對(duì)虛接口進(jìn)行操作就可以，而該虛接口不針對(duì)特定的具體器件，只有在事務(wù)交易處理器的對(duì)象例化創(chuàng)建時(shí)，根據(jù)具體傳遞給他參數(shù)確定。

EM (electron migration，電子遷移)

“電子遷移”是50年代在微電子科學(xué)領(lǐng)域發(fā)現(xiàn)的一種從屬現(xiàn)象，指因電子的流動(dòng)所導(dǎo)致的金屬原子移動(dòng)的現(xiàn)象。因?yàn)榇藭r(shí)流動(dòng)的“物體”已經(jīng)包括了金屬原子，所以也有人稱之為“金屬遷移”。在電流密度很高的導(dǎo)體上，電子的流動(dòng)會(huì)產(chǎn)生不小的動(dòng)量，這種動(dòng)量作用在金屬原子上時(shí)，就可能使一些金屬原子脫離金屬表面到處流竄，結(jié)果就會(huì)導(dǎo)致原本光滑的金屬導(dǎo)線的表面變得凹凸不平，造成性的損害。這種損害是個(gè)逐漸積累的過程，當(dāng)這種“凹凸不平”多到一定程度的時(shí)候，就會(huì)造成IC內(nèi)部導(dǎo)線的斷路與短路，而終使得IC報(bào)廢。溫度越高，電子流動(dòng)所產(chǎn)生的作用就越大，其破壞IC內(nèi)一條通路的時(shí)間就越少，即IC的壽命也就越短，這也就是高溫會(huì)縮短IC壽命的本質(zhì)原因。

NBTI 、HCI、TDDB

這三個(gè)效應(yīng)都跟MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管) 原理有關(guān)。

罪魁禍?zhǔn)?： SiOHSiOH

MOSFET原理是一個(gè)門極(Gate)靠靜電勢(shì)控制底下的導(dǎo)電溝道深度，電勢(shì)高形成深溝道電流就大，電勢(shì)低溝道消失就不導(dǎo)電了。稍微想深一層就知道這個(gè)門極導(dǎo)電底下的溝道也導(dǎo)電，數(shù)字芯片工程師職位說明書，那就必須中間有個(gè)絕緣介質(zhì)把他們分開，否則就變成聯(lián)通線不是晶體管了。再想深一層就知道這個(gè)絕緣介質(zhì)的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅還不夠，工程上二氧化硅和基板硅之間附著很差，必須加入Si-H鍵把二氧化硅層拴住。所以實(shí)際上介質(zhì)層和硅之間有一層不是純SiO2SiO2是SiOHSiOH，問題由此產(chǎn)生。

集成電路(IC)被生產(chǎn)出來以后要進(jìn)行測(cè)試。IC測(cè)試貫穿在IC設(shè)計(jì)、制造、封裝及應(yīng)用的全過程，dsp aic23芯片 數(shù)字錄音，被認(rèn)為是IC產(chǎn)業(yè)的4個(gè)分支(設(shè)計(jì)、制造、封裝與測(cè)試)中一個(gè)極為重要的組成部分，它已經(jīng)成為IC產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的一個(gè)瓶頸。有人預(yù)計(jì)，到2012年，可能會(huì)有多達(dá)48%的好芯片不能通過測(cè)試，IC測(cè)試所需的費(fèi)用將在IC設(shè)計(jì)、制造、封裝和測(cè)試的總費(fèi)用中占80%～90%的比例。 工業(yè)界常采用電壓測(cè)試和穩(wěn)態(tài)電流(I_(DDQ))測(cè)試來測(cè)試數(shù)字CMOS IC。

電壓測(cè)試包括邏輯測(cè)試和時(shí)延測(cè)試兩方面的測(cè)試內(nèi)容，前者驗(yàn)證IC的功能是否正確，后者驗(yàn)證IC的時(shí)間特性是否正確。電壓測(cè)試方法可以檢測(cè)出大量的物理缺陷，而且比較簡(jiǎn)單，速度較快。但是，由于電壓測(cè)試所使用的故障模型存在局限性，而且測(cè)試常常不能全速進(jìn)行，芯片數(shù)字測(cè)試，因此一般來說，電壓測(cè)試只善于驗(yàn)證電路的功能。與電壓測(cè)試相比，(I_(DDQ))測(cè)試更善于檢測(cè)由于生產(chǎn)過程中的細(xì)微偏差而導(dǎo)致的一些“小”缺陷，它的優(yōu)點(diǎn)是能大幅度地降低測(cè)試數(shù)字CMOS IC的費(fèi)用，提高它們的可靠性。但是，(I_(DDQ))測(cè)試除不能檢測(cè)那些不導(dǎo)致(I_(DDQ))增加的缺陷或故障(如串?dāng)_故障)之外，還受到深亞微米技術(shù)的挑戰(zhàn)。

?瞬態(tài)電流(I_(DDT))測(cè)試是一種從供電回路，通過觀察被測(cè)電路所吸取的瞬間動(dòng)態(tài)電流來檢測(cè)故障的一種方法，被認(rèn)為可以檢測(cè)出一些經(jīng)電壓測(cè)試和(I_(DDQ))測(cè)試所不能檢測(cè)的故障。這種方法作為傳統(tǒng)的電壓測(cè)試和(I_(DDQ))測(cè)試方法的一個(gè)補(bǔ)充，正逐漸受到研究領(lǐng)域和工業(yè)界的關(guān)注。 (I_(DDT))測(cè)試研究雖然進(jìn)行了近10年的時(shí)間，但目前仍處在初級(jí)階段，所面臨的問題很多，離實(shí)際應(yīng)用還有相當(dāng)一段距離。本研究采用基于積分的平均電流分析法來研究(I_(DDT))測(cè)試，進(jìn)行了一些有益的探索性工作。