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同方迪一解析大瓷片電容并聯(lián)小瓷片電容的原因
瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質(zhì),在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器。
市面上的電容器通常使用多層卷繞的方式制作,而容量越大的電容器體積一般也比較大,這導(dǎo)致了大容量電容器的分布電感比較大。在物理學(xué)中電感對(duì)高頻信號(hào)的阻抗是很大的,超高壓瓷介電容10KV,所以大瓷片電容的高頻性能往往不好。而一些小瓷片容量的電容器則剛剛相反,因?yàn)槿萘啃◇w積可以也可以做得很小,這樣它具有了很好的高頻性能。
如果我們?yōu)榱俗尩皖l、高頻信號(hào)都可以很好的通過,我們常常在一個(gè)大瓷片電容再并上一個(gè)小瓷片電容的方式。例如使用的小電容為 0.1uF的瓷片電容器,當(dāng)頻率更高時(shí),還可并聯(lián)更小的電容器,如幾pF,幾百pF的。而在數(shù)字電路中,超高壓瓷介電容10KV,一般要給每個(gè)芯片的電源引腳上并聯(lián)一個(gè)0.1uF的 電容器到地,因?yàn)樵谶@些地方的信號(hào)主要是高頻信號(hào),超高壓瓷介電容10KV,使用較小的電容器濾波可以了。

同方迪一講述髙壓瓷片電容和獨(dú)石電容區(qū)別
電路上獨(dú)石電容器和瓷片電容器是我們經(jīng)常使用的電容器,那么這兩種電容器有什么本質(zhì)上的區(qū)別呢?
如何區(qū)分獨(dú)石電容104與瓷片電容104?
104獨(dú)石電容表示其電容量為:104=100000pF=100nF=0.1μF。
104是以三位數(shù)標(biāo)注法代表該電容的容量,前兩位是數(shù)字,第三位是位率(即為10的多少次方),單位為pF。
獨(dú)石電容即多層陶瓷電容器,具有體積小、電容量大、絕緣電阻高、耐溫性能好等特點(diǎn),可用于電子電路的諧振、耦合、濾波、旁路等。 104瓷片電容是0.1uF。104電容,前面的兩位數(shù)字,表示值,后面的4表示10的冪,那么104電容值為10x10^4pF=10^5pF=10^(-7)F=0.1uF。
瓷片電容是一種用陶瓷材料作介質(zhì),廣東瓷介電容10KV,在陶瓷介質(zhì)表面涂覆一層銀漿,再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為金屬銀電極而成的電容器。
通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器。無(wú)論是104獨(dú)石電容還是104瓷片電容,只要我們了解清楚相關(guān)的作用點(diǎn),做好功課可以減少踩雷。

同方迪一講述瓷片電容技術(shù)參數(shù)的發(fā)展歷程
1900年意大利L.隆巴迪發(fā)明陶瓷介質(zhì)電容 ;
30年代末人們發(fā)現(xiàn)在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數(shù)成倍增長(zhǎng),因而制造出較便宜的瓷介質(zhì)電容 ;
1940年前后人們發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)在的瓷片電容技術(shù)參數(shù) 的主要原材料BaTiO3(鈦酸鋇)具有絕緣性后,開始將瓷片電容技術(shù)參數(shù)使用于對(duì)既小型、精度要求又極高的軍事用電子設(shè)備當(dāng)中。
1960年左右陶瓷疊片電容 作為商品開始開發(fā)。
1970年,隨著混合IC、計(jì)算機(jī)、以及便攜電子設(shè)備的進(jìn)步也隨之迅速的發(fā)展起來(lái),瓷片電容成為電子設(shè)備中不可缺少的零部件,而其中技術(shù)參數(shù)也是學(xué)者們研究的重點(diǎn)。
現(xiàn)在的陶瓷介質(zhì)電容的全部數(shù)量約占電容 市場(chǎng)的70%左右。


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