CMOS輸出電壓調(diào)壓控振蕩器加工-晶宇興

壓控振蕩器性能指標(biāo)

1.中心頻率是指頻率調(diào)節(jié)范圍的中間值，即振蕩器頻率的大值和小值的中間值，中心頻率的大小取決于振蕩器的結(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)，而且還隨著工藝和溫度相應(yīng)改變;隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展和產(chǎn)品性能的調(diào)高，現(xiàn)如今CMOS壓控振蕩器的中心頻率能夠達(dá)到10GHz。

2.調(diào)諧范圍是指調(diào)節(jié)輸出頻率的變化范圍，即振蕩器的大調(diào)諧頻率和小調(diào)諧頻率的差值壓控振蕩器要有足夠大的調(diào)諧范圍才能滿足輸出頻率達(dá)到所需要的值。

LC壓控型壓控振蕩器

在任何一種LC振蕩器中，TTL輸出電壓調(diào)壓控振蕩器加工，將壓控可變電抗元件插入振蕩回路就可形成LC壓控振蕩器。早期的壓控可變電抗元件是電抗管，高速傳輸電壓調(diào)壓控振蕩器加工，后來大都使用變?nèi)荻O管。圖 2是克拉潑型LC壓控振蕩器的原理電路。圖中，電壓調(diào)壓控振蕩器加工，T為晶體管，L為回路電感，C1、C2、Cv為回路電容，Cv為變?nèi)荻O管反向偏置時(shí)呈現(xiàn)出的容量;C1、C2通常比Cv大得多。當(dāng)輸入控制電壓uc改變時(shí)，Cv隨之變化，因而改變振蕩頻率。這種壓控振蕩器的輸出頻率與輸入控制電壓之間的關(guān)系為VCO輸出頻率與控制電壓關(guān)系式中C0是零反向偏壓時(shí)變?nèi)荻O管的電容量；φ 是變?nèi)荻O管的結(jié)電壓；γ 是結(jié)電容變化指數(shù)。為了得到線性控制特性，可以采取各種補(bǔ)償措施。

振蕩器和諧振器的區(qū)別

在以前，時(shí)常會(huì)把諧振器和振蕩器搞混。經(jīng)歷了一些時(shí)間的對比，大概整理一下。我們習(xí)慣稱晶振，這個(gè)講法其實(shí)很模糊。這里把有源的稱為振蕩器，CMOS輸出電壓調(diào)壓控振蕩器加工，無源的稱為諧振器。

諧振器【RESONATOR】

產(chǎn)生諧振頻率的電子元件，它是典型的無源器件，需要外圍電路驅(qū)動(dòng)其工作，產(chǎn)生時(shí)鐘輸出。

振蕩器【OSCILLATOR】

是一種能量轉(zhuǎn)換裝置——將直流電能轉(zhuǎn)換為具有一定頻率的交流電能，其構(gòu)成的電路叫振蕩電路， 振蕩器是有源器件，振蕩器比諧振器多了一個(gè)控制電路。

圖中從左到右依次為：晶體諧振器，陶瓷諧振器，晶體振蕩器，硅振蕩器。