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石英晶體諧振器的主要參數(shù)
晶振的主要參數(shù)有標(biāo)稱頻率,負(fù)載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標(biāo)稱頻率不同,標(biāo)稱頻率大都標(biāo)明在晶振外殼上。如常用普通晶振標(biāo)稱頻率有:48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz~40.50 MHz等,對(duì)于特殊要求的晶振頻率可達(dá)到1000 MHz以上,也有不具標(biāo)稱頻率的,如CRB 、ZTB、Ja等系列。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定諧振器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振,負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w諧振器有兩個(gè)諧振頻率,一個(gè)是串聯(lián)諧振晶振的低負(fù)載電容晶振:另一個(gè)為并聯(lián)諧振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以,CMOS輸出諧振器多少錢,標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致,不能冒然互換,否則會(huì)造成電器工作不正常。頻率精度和頻率穩(wěn)定:由于普通晶振的性能基本性能達(dá)到一般電器的要求,對(duì)于設(shè)備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定性。頻率精度從量級(jí)到量級(jí)不等。穩(wěn)定度從±1到±100ppm不等。這要根據(jù)具體的設(shè)備需要而選擇合適的晶振,如通信網(wǎng)絡(luò),無線資料傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要更高要求的石英晶體諧振器。因此,晶振的參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。

晶體振蕩器與晶體諧振器的區(qū)別
石英晶體諧振器是一個(gè)諧振元件,CMOS輸出諧振器,振蕩器是一套完整的電路單元,CMOS輸出諧振器報(bào)價(jià),其中可以包括一些選頻元件,但不是全部。諧振器還包括如陶瓷諧振器,LC 諧振器等。而晶振,是晶體振蕩器的簡(jiǎn)稱,它是用晶體諧振器和電路結(jié)合構(gòu)成的振蕩器部件,尤其是指用石英晶體做成的振蕩器部件。另外,諧振器是無源器件,需要外圍電路驅(qū)動(dòng)其工作,產(chǎn)生時(shí)鐘輸出。振蕩器則是有源器件,自身就有內(nèi)置電路,提供較穩(wěn)定的時(shí)鐘輸出。

石英晶體諧振器的負(fù)載
晶振在振蕩電路中起振時(shí)等效為感性,負(fù)載電容與晶振的等效電感形成諧振,CMOS輸出諧振器生產(chǎn)廠家,決定振蕩器的振蕩頻率。負(fù)載電容值不同,振蕩器的振蕩頻率也不一樣,改變負(fù)載電容的大小,就可以改變振蕩頻率。因此,通過適度調(diào)整負(fù)載電容,一般可以將振蕩器的振蕩頻率準(zhǔn)確地調(diào)整到標(biāo)準(zhǔn)值。在晶振資料主要參數(shù)中提供的負(fù)載電容是一個(gè)測(cè)試條件,也是一個(gè)不容忽視的使用條件,忽略這個(gè)負(fù)載電容參數(shù),會(huì)使振蕩頻率偏離標(biāo)準(zhǔn)值,偏離過大時(shí)會(huì)使振蕩器起振困難造成停振。


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