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振蕩器的常見(jiàn)指標(biāo)

初始準(zhǔn)確率:指振蕩器上電工作某一段短時(shí)間內(nèi)的頻率準(zhǔn)確度:—般為開(kāi)機(jī)八分鐘至30分鐘，方波輸出晶振廠家，25度室溫，需要等到晶振穩(wěn)定工作

老化率:振蕩器在工作一段時(shí)間后由于內(nèi)部結(jié)構(gòu)的改變引起的頻率偏移

引起原因:不同的熱膨脹系數(shù)、焊接材料在凝固、加工時(shí)尺寸的改變、由于成型，方波輸出晶振，焊接時(shí)的殘余應(yīng)力，方波輸出晶振多少錢，電極的內(nèi)應(yīng)力、石英在生長(zhǎng)中的不均勻，雜質(zhì)和其他缺陷、切割，點(diǎn)清晰和腐蝕引起的表面破壞的影響、電極應(yīng)力和支架為對(duì)準(zhǔn)的彎矩，晶格內(nèi)部產(chǎn)生局部化應(yīng)力產(chǎn)生的破壞

根據(jù)測(cè)試時(shí)長(zhǎng)老化率一般分日老化率、月老化了、年老化率。

選擇振蕩器時(shí)需要考慮哪些因素

選擇振蕩器時(shí)需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，方波輸出晶振價(jià)格，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。一種低功率的硅振蕩器，如MAX7375，工作在4MHz時(shí)只需不到2mA的電流。在特定的應(yīng)用場(chǎng)合優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下一些因素：精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。

晶體振蕩器有哪些應(yīng)用？

晶體振蕩器廣泛用于系統(tǒng)頻率源、導(dǎo)航以及其它通訊領(lǐng)域的普通石英晶體振蕩器(PXO)，工作頻率范圍在1MHz至150MHz之間，頻率穩(wěn)定度為±25ppm，±50ppm和±100ppm，輸出上升和下降時(shí)間為5ns，老化率為±5ppm/年。

還有主要用于移動(dòng)電話、筆記本電腦、PHS、GPS設(shè)備和其它無(wú)線通信設(shè)備的SMD晶體振蕩器(PXO)和SMD壓控/溫補(bǔ)晶體振蕩器(VCXO/TCXO/VCTCXO)，其PXO和VCXO型SMD晶振輸出邏輯與HCMOS/TTL兼容，因而提高了器件的適應(yīng)性和設(shè)計(jì)的靈活性。用于手機(jī)的SMD晶振主要特點(diǎn)有高精度、高穩(wěn)定度和小尺寸，精度高達(dá)±5ppm，同時(shí)采用的晶片色澤白皙同時(shí)具有低腐蝕性、不易起振，質(zhì)量很穩(wěn)定，尺寸規(guī)格有7×5mm、6×3.5mm、5×3.2mm、4×2.5mm。

頻率標(biāo)準(zhǔn)、通訊、電子儀表、測(cè)試裝置、精密計(jì)量等領(lǐng)域的高精度高穩(wěn)定度石英晶體振蕩器，可根據(jù)長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定度不同分為TCXO、OCXO、VCXO、SPXO、LPXO(低噪聲晶體振蕩器)等類型。