價(jià)格: 電議
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電容器體積比Class3大,若僅用于旁路和非濾波時(shí),電容器只需考慮成本和體積效率,其精q確度、穩(wěn)定性和損耗系數(shù)都不是主要的考慮因素,此時(shí)不適用于Class1電容器,所以Class1電容器主要用于濾波,除Class1陶瓷電容器外,低頻應(yīng)用也可采用薄膜電容,射頻應(yīng)用則需采用更為復(fù)雜的電容器。

電解電容一般用于電源供應(yīng)裝置中,這類應(yīng)用受電容容量的限制,除Class3電容外,其它適用性較差的電容器都很難找到,隨著陶瓷技術(shù)的發(fā)展,陶瓷電容器的容值范圍逐漸擴(kuò)大,目前高可達(dá)100μF,許多應(yīng)用已經(jīng)開始用陶瓷電容代替電解電容,陶瓷電容器的性能比同容量的將具有更好的容值,雖然成本較高,但隨著技術(shù)的提高,成本也在降低。
.特點(diǎn)
?錦佛酯膜,
?腳小,MS輕,
?外郵紙,兩端癱環(huán)鈉脂

■主要用途
?隔直,旁路聃合(癇)
引用標(biāo)準(zhǔn)? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 7332 (IEC 60384-2)?
氣候類別? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?55/105/21
額定溫度? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?85P
工作溫度范圍? ? ?? ? ? ??55t~105°C? ? ? (+85笆 to +105°C: decreasing factor 1.25% per °C for VR(dc))
額定電壓? ? ? ? ? ? ? ? ? ?50V,63V, 100V, 250V, 400V, 630V,1000V
電容量范圍? ? ? ? ? ? ? ? ?0.010|jF ~ 10.0pF?
電容量偏差? ? ? ? ? ? ? ? ? ±5%(J), ±10%(K), ±20%(M)
耐電壓? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 1.6UR (5s)
損耗角正切? ? ? ? ? ? ? ? ?<1.0% (2(FC,1kHz)
絕緣電阻? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 230 000MC, CRS0.33hF? ? ? ? ? ? ? 210 000s,CR>0.33 卩 F(20t!,100V,1min)
脈沖爬升速率上限 Maximum Pulse Rise Time (dv/dt) 若實(shí)際工作電壓U比額定電壓UR低,電容器可工 作在更高的dv/dt場合。這樣dv/dt允許值為右表值 ? ?乘 UR/U。 | UR(V) | dv/dt (V/ps) | ||||
| L=12.0 | L=15.0 | L=19.0 | L=27.0 | L=32 | ||
| 50/63 | 6 | 6 | 2 | 1.5 | 1 | |
| 100 | 9 | 9 | 3 | 2 | 1 | |
| 250? | 20 | 20 | 8 | 5 | 2.5 | |
| 400 | 30 | 30 | 10 | 7 | 4 | |
| 630 | 40 | 40 | 15 | 10 | 6 | |
| 1000 | 50 | 50 | 25 | 12 | 8 | |
電容封裝包含電容器腳位的間距、電容器高寬比等,也就是電容器的外型特點(diǎn)。一定要確保電容器能夠安*到電路板上。電容器值是電容器關(guān)鍵的特點(diǎn),一些地區(qū)的電容器是用于阻隔直流電數(shù)據(jù)信號(hào)的,一些地區(qū)是用于小量存儲(chǔ)電磁能的,一些地區(qū)是用于濾走高頻率溝通交流數(shù)據(jù)信號(hào)的,一些地區(qū)是用于整流器的這些,而這種作用又立即取決于電容器的阻值。因此挑選滌綸電容開展更換要充分考慮這種要素。

滌綸電容的非常簡單構(gòu)造可由2個(gè)金屬片正中間夾一層絕緣層物質(zhì)構(gòu)成。在2個(gè)金屬片(極片)間加一個(gè)工作電壓,極片就能存儲(chǔ)正電荷。
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