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歐盟對中國太陽能產(chǎn)品的反傾銷預(yù)計6月初裁定,硅片與組件行業(yè)悲觀預(yù)期仍然強(qiáng)烈,雙反將導(dǎo)致沒有贏家,屆時多晶硅價格可能再次上漲,但是對中國的光伏行業(yè)來說,不同細(xì)分子行業(yè)景氣度將出現(xiàn)分化。如果考慮到中國對歐盟多晶硅采取反制措施導(dǎo)致的多晶硅價格上漲,那么多晶硅相關(guān)企業(yè)將受益。
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單晶硅可算得上是純凈的物質(zhì)了,一般的半導(dǎo)體器件要求硅的純度6N以上。大規(guī)模集成電路的要求更高,硅的純度必須達(dá)到9N,人們已經(jīng)能制造出純度為12N的單晶硅。單晶硅是電子計算機(jī)、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。
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多晶硅的生產(chǎn)工藝不斷取得進(jìn)展,全自動澆鑄爐每生產(chǎn)周期(50小時)可生產(chǎn)200公斤以上的硅錠,晶粒的尺寸達(dá)到厘米級;[4]由于近十年單晶硅工藝的研究與發(fā)展很快,其中工藝也被應(yīng)用于多晶硅電池的生產(chǎn),例如選擇腐蝕發(fā)射結(jié)、背表面場、腐蝕絨面、表面和體鈍化、細(xì)金屬柵電極,采用絲網(wǎng)印刷技術(shù)可使柵電極的寬度降低到50微米,高度達(dá)到15微米以上,快速熱退火技術(shù)用于多晶硅的生產(chǎn)可大大縮短工藝時間,單片熱工序時間可在一分鐘之內(nèi)完成,采用該工藝在100平方厘米的多晶硅片上作出的電池轉(zhuǎn)換效率超過14%。

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