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以工作模式CC和CV為例,開(kāi)關(guān)程控電子負(fù)載的簡(jiǎn)化電路在CC模式下,通過(guò)檢測(cè)采樣電阻上電壓,得到流過(guò)晶體管的電流,也就是負(fù)載電流,通過(guò)控制晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓大小,來(lái)實(shí)現(xiàn)流過(guò)晶體管電流恒定,此時(shí)晶體管工作在飽和區(qū)。在CV模式下,和CC模式很近似,通過(guò)檢測(cè)采樣電阻電壓,得到晶體管的源漏極電壓,也就是負(fù)載電壓。通過(guò)控制晶體管的驅(qū)動(dòng)電壓大小,來(lái)控制晶體管導(dǎo)通等效電阻Rds大小,實(shí)現(xiàn)源漏極電壓恒定,此時(shí)晶體管工作在線性區(qū)。

要實(shí)現(xiàn)較高的負(fù)載跳變速率,常規(guī)的設(shè)計(jì)思路是使用MOSFET對(duì)負(fù)載電阻進(jìn)行開(kāi)斷,該方法實(shí)現(xiàn)雖然簡(jiǎn)單,但實(shí)際應(yīng)用時(shí)存在一個(gè)明顯缺點(diǎn):由于MOSFET的開(kāi)關(guān)過(guò)程一般在百ns級(jí),因此限制負(fù)載電流跳變速率的主要是所選負(fù)載電阻的ESL(等效串聯(lián)電感),一般的滑動(dòng)變阻器都是屬于繞線型電阻,其ESL往往較大,因此較難實(shí)現(xiàn)高跳變速率。全天科技秉承“精心設(shè)計(jì),精工制造,精良服務(wù),精益求精”的經(jīng)營(yíng)理念,專(zhuān)門(mén)進(jìn)行各種開(kāi)關(guān)程控電子負(fù)載的出售,力求以的專(zhuān)門(mén)水平及穩(wěn)健踏實(shí)的工作作風(fēng),為新老客戶(hù)提供良好的開(kāi)關(guān)程控電子負(fù)載。

能量回饋型開(kāi)關(guān)程控電子負(fù)載的關(guān)鍵技術(shù)是無(wú)污染回饋電網(wǎng)技術(shù)和負(fù)載電流特性模擬技術(shù)。目前,采用晶閘管有源逆變回饋電網(wǎng)的技術(shù)在國(guó)內(nèi)是成熟技術(shù),該技術(shù)在繞線式交流異步電機(jī)串級(jí)調(diào)速、直流電動(dòng)機(jī)四象限調(diào)速運(yùn)行等領(lǐng)域已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用;在開(kāi)關(guān)程控電子負(fù)載應(yīng)用方面,也已用于蓄電池生產(chǎn)過(guò)程中的極板化成放電和電池放電。但存在回饋電網(wǎng)的電流諧波大、功率因數(shù)低等缺點(diǎn),對(duì)電網(wǎng)形成污染,限制了它的推廣應(yīng)用。


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