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供應富士通鐵電存儲器MB85RC16PNF-G-JNERE1

[MB85RC16PNF-G-JNERE1]

深圳市富士通鐵電存儲器廠家

采購數(shù)量

10000 個以上

價格

￥4.80

運費： 廣東深圳市寶安區(qū) | 賣家支付運費

封裝： SOP8

購買數(shù)量： 庫存 200000個

在線詢盤聯(lián)系廠家：18948335007 0755-29364006

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詳細信息（供應富士通鐵電存儲器MB85RC16PNF-G-JNERE1）

品牌： 富士通
型號： MB85RC16PNF-G-JNERE1
類型： 存儲器
存儲容量： 16KB
針腳數(shù)： sop8
用途： 儀器
批號： 16+
型號簡稱： MB85RC16PNF

Fujitsu鐵電在FRAM產(chǎn)品行業(yè)一直居于高端行業(yè)前端，分別是以SOP/SON等封裝產(chǎn)品形式提供獨立存儲器和FRAM內(nèi)置的RFID用于LSI，最近富士通開發(fā)了并行接口4Mbit FRAM存儲器，現(xiàn)已開始量產(chǎn)，該產(chǎn)品采用了與通用SRAM兼容的44引腳TSOP封裝，適用于需要高速記錄數(shù)據(jù)的計量儀器，醫(yī)療器械、用FRAM替代SRAM后可以省去后備電池，有利于大幅縮小PCB面積，節(jié)能環(huán)保和降低系統(tǒng)成本。

產(chǎn)品系列

串行I2C接口
型號容量電壓工作電流讀寫頻率擦寫次數(shù) 掉電數(shù)據(jù)保存封裝
MB85RC04V 4K bits 3.0 V - 5.5 V 80uA 1MHz 1萬億 10年(+85℃) SOP8
MB85RC16 16K bits 2.7 V - 3.6 V 100uA 1MHz 1萬億 10年(+85℃) SOP8
MB85RC16V 16Kbits 3.0 V - 5.5 V 80uA 1MHz 1萬億 10年(+85℃) SOP8
MB85RC64 64K bits 2.7 V - 3.6 V 150uA 1MHz 1萬億 10年(+85℃) SOP8
MB85RC64V 64K bits 3.0 V - 5.5 V 80uA 1MHz 1萬億 10年(+85℃) SOP8
MB85RC128A 128K bits 2.7 V - 3.6 V 150uA 1MHz 1萬億 10年(+85℃) SOP8
MB85RC256V 256K bits 2.7-5.5V 1MHz 1萬億 10年(+85℃) SOP8
MB85RC512T 512K bits 1.8-3.6V 3.4MHz 1萬億 10年(+85℃) SOP8
MB85RC1MT 1M bits 1.8-3.6V 3.4MHz 1萬億 10年(+85℃) SOP8
串行SPI接口
型號容量電壓工作電流讀寫頻率擦寫次數(shù) 掉電數(shù)據(jù)保存封裝
MB85RS16N 16K bits 2.7 V - 3.6 V 2.4mA 20Mhz 1萬億 10年(+85℃) SOP8
MB85RS64V 64K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 20Mhz 1百億 10年(+55℃) SOP8
MB85RS128B 128K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 25Mhz 1百億 10年(+55℃) SOP8
MB85RS256B 256K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 25Mhz 1百億 10年(+55℃) SOP8
MB85RS64 64K bits 3.0 V - 3.6 V 10mA 20Mhz 1百億 10年(+55℃) SOP8
MB85RS1MT 1M bits 1.8-3.6V 10mA 30Mhz 1百億 10年(+55℃) SOP8
MB85RS2MT 2M bits 1.8-3.6V 10mA 25Mhz 1百億 10年(+55℃) SOP8
MB85RS512T 512K bits 1.8-3.6V 10mA 30Mhz 1百億 10年(+55℃) SOP8
MB85RDP16LX 16K bits 1.65-1.95V 15Mhz 1百億 10年(+55℃) SOP8
并行接口
型號容量電壓工作電流訪問時間擦寫次數(shù) 掉電數(shù)據(jù)保存封裝
MB85R256F 256k bits 2.7 V - 3.6 V 10mA 150ns 1百億 10年(+70℃) SOP/TSOP28
MB85R1001A 1M bits 3.0 V - 3.6 V 15mA 150ns 1百億 10年(+55℃) TSOP48
MB85R1002A 1M bits 3.0 V - 3.6 V 15mA 150ns 1百億 10年(+55℃) TSOP48
MB8501A 4M bits 3.0 V - 3.6 V 20mA 150ns 1百億 10年(+55℃) TSOP48
MB8502A 4M bits 3.0 V - 3.6 V 20mA 150ns 1百億 10年(+55℃) TSOP48
MB85R4M2T 4M bits 1.8-3.6V

內(nèi)置RFID的FRAM
型號容量接口協(xié)議調(diào)制方式掉電數(shù)據(jù)保存封裝
MB898C 2KB ISO/IEC 15693, 18000-3 ASK 10% / 10年(+70℃) 裸片(Wafer)
MB899B 256B ISO/IEC 15693, 18000-3 ASK 10% / 10年(+85℃) 裸片(Wafer)
MB97R803/4 4KB ISO/IEC 18000-6C DSB/SSB/PR-ASK 10年(+85℃) 裸片(Wafer)

FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優(yōu)勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外設的FRAM產(chǎn)品，目前4Kb至4Mb的產(chǎn)品也已量產(chǎn)。

FRAM的優(yōu)勢

與傳統(tǒng)存儲器相比，F(xiàn)RAM具有下列優(yōu)勢：

非易失性

即使沒有上電，也可以保存所存儲的信息。

與SRAM相比，無需后備電池（環(huán)保產(chǎn)品）

更高速度寫入

像SRAM一樣，可覆蓋寫入

不要求改寫命令

對于擦/寫操作，無等待時間

寫入循環(huán)時間 =讀取循環(huán)時間

寫入時間： E2PROM的1/30,000

具有更高的讀寫耐久性

確保1012次循環(huán)（100萬億循環(huán)）/位的耐久力

耐久性：超過100萬次的 E2PROM

具有更低的功耗

不要求采用充電泵電路

功耗：低于1/400的E2PROM

與SRAM相比

獨立的FRAM存儲器，因為具有Pseudo-SRAM I/F，因此與SRAM之間具有的高度兼容性。利用FRAM取代SRAM，您可以獲得的優(yōu)勢如下：

1. 總的成要縮減

采用SRAM，你需要檢測其電池狀態(tài)。但是FRAM卻讓你免去了進行電池檢測的困擾。而且 FRAM不需要電池槽、防倒流二極管和更多的空間，而這些都是SRAM所需的。FRAM的單芯片解決方案可以節(jié)省空間和成本。

維護自由；無需更換電池

縮小的器件尺寸；可以省去大量的器件

2.環(huán)保型產(chǎn)品（減少了環(huán)境負擔）

用過的電池成為工業(yè)廢料。在生產(chǎn)過程中，與SRAM相比，F(xiàn)RAM能夠降低一半的CO2排放量。FRAM對于環(huán)保有益。

無廢棄電池

降低工業(yè)負荷，實現(xiàn)環(huán)保

與E2PROM/閃存相比

與傳統(tǒng)的非易失性存儲器，如E2PROM和閃存相比，F(xiàn)RAM具有更快的寫入、更高耐久力和更低功耗等優(yōu)勢。用FRAM取代E2PROM和閃存還具有更多優(yōu)勢，具體如下：

1. 性能提升

FRAM的高速寫入能夠在電源中斷的瞬間備份數(shù)據(jù)。不僅如此，與E2PROM和閃存相比，F(xiàn)RAM能夠更頻繁的記錄數(shù)據(jù)。當寫入數(shù)據(jù)時，E2PROM和閃存需要高壓，因此，消費的功率比FRAM更多。如果嵌入FRAM，那么電池供電器件中的電池的壽命將更長。